工艺原理7.ppt

集成电路工艺原理;本章概要;7.1 引言;7.1 引言;7.1 引言;7.1 引言;7.1 引言;7.1 引言;7.1 引言;7.1 引言;7.2 金属铝;铝互联;欧姆接触;欧姆接触;欧姆接触结构;出现的问题;出现的问题;出现的问题; 当金属为良导体、在直流电流密度比较大时，电迁移作用将是显著的。于是金属离子由电极负端向正端运动（电子流方向）。 在产生空洞的地方会引起连线减薄，可能会引起断路。而在金属原子堆积、形成小丘的地方，如果过多或大量的小丘形成，毗邻的连线或两层之间的连线有可能短接在一起。在超大规模集成电路技术、高级电路的设计中，芯片温度会随着电流密度而增加，这两者都会使铝芯片金属化更易于引起电迁移。;出现的问题;传统的铝互联工艺;传统的铝互联工艺;概述; 另一个问题是Cu引线图形的加工问题，由于一直难以找到可以刻蚀Cu金属薄膜材料的化学试剂和刻蚀手段，而仅仅利用传统的互连加工工艺，一直难以实现Cu的互连引线的图形加工。 Cu互连集成技术的突破是随着化学机械抛光（chemical mechanical polishing，CMP）技术的发明、大马士革工艺的提出和势垒层材料技术的发展而取得的。人们研发出可以阻挡Cu扩散的势垒层材料技术成功地解决了Cu污染问题；而大马士革结构与CMP技术，成功地解决了Cu引线加工问题。;概述;铜的优点;良好的抗电迁移性能 铜在抗电迁移能力方面要比铝大一到两个数量级，器件的寿命更长，可靠性更佳。 高熔点 当IC中的电流密度过高，高熔点的材料比低熔点的材料更不易于发生电子迁移，原因在于前者有更高的界面扩散激活能。铝的熔点为660℃，铜的熔点为1083℃，所以铜更不易发生电子迁移。;更少的工艺步骤 用大马士革方法处理铜具有减少工艺步骤 20% 到 30% 的潜力。 热传导率 Cu具有更高的热传导率。 ;Cu作为互连材料存在的问题 铜在Si和二氧化硅（介质材料）中是间隙杂质，Cu在Si中扩散相当快，一旦进入Si器件中会成为深能级受主杂质，对半导体中的载流子具有强的陷阱效应，使器件的性能退化甚至失效；同时Cu在SiO2（介质材料）中扩散相当快，从而使SiO2的介电性能严重退化，形成互连线的低击穿；;Cu是一种稳定的惰性金属，不像铝那样易与刻蚀离子发生反应而被刻蚀。一直难以找到可以刻蚀Cu金属薄膜材料的化学试剂和刻蚀手段，在传统的干法腐蚀中，由于不能产生易挥发性卤化物，因而不能用常规等离子体腐蚀工艺制备互连线图形； Cu在空气中和低温下（200℃）易氧化，而且不能像铝一样形成钝化保护层来阻止自身进一步被氧化和腐蚀；;对铜的挑战;同时，芯片工作时，临近金属线之间施加的电场也大大提高了铜的扩散速率。 基于以上原因，必须采取有效措施来防止铜向硅中扩散，解决以上问题一般是在沉积铜层之前再加一步，即在刻好的槽的衬底上溅射淀积约50nm厚的阻挡层，金属扩散阻挡层（Ta，TaN等）或者介质扩散阻挡层（Si3N4等），即在介质层和金属铜之间引入引入一层扩散阻挡层，以提高铜与衬底的粘结性和阻止铜向Si或二氧化硅衬底的扩散。;布线技术;布线技术;布线技术;大马士革技术中金属的去除工序; 大马士革结构有两种形式： 1)单大马士革结构（single damascene）； 2)双大马士革结构（dual damascene）。 前者是一次只淀积一层金属，后者是一次把一层通孔或接触孔和它上面的那层互连线这两层金属的淀积在同一步骤中完成。这节省了工艺步骤并且消除了通孔（或接触孔）和金属线之间的界面，大大提高铜的抗电迁移性。 ;布线技术;Si3N4;确定通孔图形和刻蚀光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入Si3N4中，刻蚀完成后去掉光刻胶。 淀积保留介质的SiO2 为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积。;Si3N4;确定互连图形光刻确定氧化硅槽图形，带胶。在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。 刻蚀互连槽和通孔在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在Si3N4层。穿过Si3N4层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口。;布线技术;淀积阻挡层金属在槽和通孔的底部及侧壁淀积钽和氮化钽扩散层 淀积铜种子层淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔 ;布线技术;淀积铜填充用电化学淀积 (BCD) 淀积铜填充 ，既填充通孔窗也填充槽。 用 CMP 清除额外的铜用化学机械平坦清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下 道工序做了准备。 最后的表面是一个金属镶嵌在介质内、形成电路的平面结构。;布线技术; 目前采用的淀积方法是，首先利用PVD技术中的溅射方法，淀积一薄的势垒金属层（阻挡层）和Cu的种子（籽晶层），然后利用电化学（电镀或化学镀）或C