CN106951586-CN201710080862-一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 106951586 A (43)申请公布日 2017.07.14 (21)申请号 201710080862.3 (22)申请日 2017.02.15 (71)申请人 上海集成电路研发中心有限公司 地址 201210 上海市浦东新区上海浦东张 江高斯路497号 申请人 成都微光集电科技有限公司 (72)发明人 刘林林　 (74)专利代理机构 上海天辰知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华　陈慧弘 (51)Int.Cl. G06F 17/50(2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方 法 (57)摘要 本发明公开了一种考虑温度效应的射频MOS 器件的建模方法，通过引入了寄生元件的温度模 型，使射频MOS器件模型的拟合更加准确，通过迭 代调整寄生元件温度模型的相关参数及本征模 型温度的相关参数，可使不同温度下的器件直流 数据及射频条件下的关键指标均能与测试数据 得到较好拟合,为射频MOS器件在不同温度的应 用提供了基础。 A 6 8 5 1 5 9 6 0 1 N C CN 106951586 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S01：建立包含本征晶体管、寄生电阻、寄生电容和寄生二极管的射频MOS器件的子 电路模型架构； 步骤S02：获取射频MOS器件在不同测试温度下的直流测试数据，拟合所述本征晶体管 的温度参数； 步骤S03：确定所述寄生二极管的温度模型； 步骤S04：确定所述寄生电容和所述寄生电阻的温度模型； 步骤S05：计算所述射频MOS器件子电路模型架构的关键指标，并迭代校正所述本征晶 体管、所述寄生电阻、所述寄生电容和所述寄生二极管中的温度参数，使得仿真计算得到的 关键指标与所述射频MOS器件测试得到的关键指标满足误差要求。 2.根据权利要求1所述的考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，其特征在于，所述 步骤S03,S04中，需考虑温度效应的所述寄生电阻包括栅极寄生电阻Rg，漏极寄生电阻Rd, 源极寄生电阻Rs,衬底寄生电阻Rb,漏极衬底寄生电阻Rdb,源极衬底寄生电阻Rsb；需考虑 温度效应的所述寄生电容包括栅源寄生电容Cgs，栅漏寄生电容Cgd，源漏寄生电容Cds；所 述寄生二极管包括漏极寄生二级管DD和源极寄生二极管DS。 3.根据权利要求2所述的考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，其特征在于，所述 步骤S03中所述寄生二极管的温度模型的确定方法如下： 步骤S031：基于所述射频MOS器件的源漏区及衬底的掺杂情况，设计与所述射频MOS器 件的所述漏极寄生二级管DD和所述源极寄生二极管DS对应的独立二极管作为测试结构； 步骤S032：测试与所述漏极寄生二级管DD和所述源极寄生二极管DS对应的所述独立二 极管在不同测试温度下的IV,CV数据； 步骤S033：基于上述测试数据，确定所述漏极寄生二级管DD和所述源极寄生二极管DS 的温度模型。 4.根据权利要求2所述的考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，其特征在于，所述 步骤S04中所述寄生电阻和所述寄生电容的温度模型的确定方法如下： 步骤S041：将所述MOS器件的源极S和衬底B短接至地，将栅极G和漏极D分别作为1,2端 口，形成二端口网络；使用不同的偏置条件包括零