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晶体理论简述 陕西西京电子科技有限公司 晶体的性质 1、自范性：自发形成有规则的多面体外型 2、均匀性：周期组成相同，密度相同 3、各向异性：不同方向性质不一样 4、固定熔点：键的特点一致 5、对称性； 6、发生X 射线衍射 晶体结构：具有物质内容的空间点阵结构。 2. 晶面、晶向和密勒指数 在晶体物质中，原子在三维空间中作有规律的排列。因此在晶体中存在着一系列的原子列或原子平面，晶体中原子组成的平面叫晶面，原子列表示的方向称为晶向。晶体中不同的晶面和不同的晶向上原子的排列方式和密度不同，构成了晶体的各向异性。这对分析有关晶体的生长、变形、相变以及性能等方面的问题时都是非常重要的。因此研究晶体中不同晶向晶面上原子的分布状态是十分必要的。为了便于表示各种晶向和晶面，需要确定一种统一的标号，称为晶向指数和晶面指数，国际上通用的是密勒指数。 （3）晶向指数是按以下几个步骤确定的： 1．以晶胞的某一阵点为原点，三个基矢为坐标轴，并以点阵基矢的长度作为三个坐标的单位长度； 2．过原点作一直线OP，使其平行于待标定的晶向AB，这一直线必定会通过某些阵点； 3．在直线OP上选取距原点O最近的一个阵点P，确定P点的坐标值； 4．将此坐标值乘以最小公倍数化为最小整数h、k、l，加上方括号，[hkl] 即为AB晶向的晶向指数。 如果h、k、l中某一数为负，则将负号标注在该数的上方。 (1) 离子晶体 硅的晶体结构： ２、按缺陷产生的原因分类 1. 热缺陷 2. 杂质缺陷 3. 非化学计量缺陷 4. 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等 （1）热缺陷 定义: 热缺陷是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。 类型: 弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷 热缺陷浓度与温度的关系: 温度升高时，热缺陷浓度增加 热缺陷产生示意图 （2）杂质缺陷 定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。 特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。 （3）非化学计量缺陷 定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。 特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。 （4）其它缺陷，如电荷缺陷，辐照缺陷等 三、晶体生长理论简介 从宏观角度看，晶体生长过程是晶体－环境相(蒸气、溶液、熔体)界面向环境相中不断推移的过程，也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变 。 从微观角度来看，晶体生长过程可以看作一个“基元”过程，所谓“基元”是指结晶过程中最基本的结构单元，，也叫成核。从广义上说，“基元”可以是原子、分子、也可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集体 。所谓的“基元”过程包括以下主要步骤 ： (1) 基元的形成：在一定的生长条件下，环境相中物质相互作用，动态地形成不同结构形式的基元，这些基元不停地运动并相互转化，随时产生或消失。 (2) 基元在生长界面的吸附：由于对流，热力学无规则运动或原子间吸引力，基元运动到界面上并被吸附。 (3) 基元在界面的运动：基元由于热力学的驱动，在界面上迁移运动。 (4) 基元在界面上结晶或脱附：在界面上依附的基元，经过一定的运动，可能在界面某一适当的位置结晶并长入固相，或者脱附而重新回到环境相中。 均匀成核：在体系内任何部位成核率是相等的。 非均匀成核：在体系的某些部位（杂质、容器壁）的成核率高于另一些部位。 一旦晶核形成后，就形成了晶－液界面，在界面上就要进行生长，即组成晶体的原子、离子要按照晶体结构的排列方式堆积起来形成晶体。 1．层生长理论模型（科塞尔理论模型） 这一模型要讨论的关键问题是：在一个正在生长的晶面上寻找出最佳生长位置，有平坦面、两面凹角位、三面凹角位。其中平坦面只有一个方向成键，两面凹角有两个方向成键，三面凹角有三个方向成键，见图： 因此，最佳生长位置是三面凹角位，其次是两面凹角位，最不容易生长的位置是平坦面。 这样，最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长成一行，以至于三面凹角消失，再在两面凹角处生长一个质点，以形成三面凹角，再生长一行，重复下去。 层生长理论的中心思想是：晶体生长过程是晶面层层外推的过程。 但是，层生长理论有一个缺陷：当将这一界面上的所有最佳生长位置都生长完后，如果晶体还要继续生长，就必须在这一平坦面上先生长一个质点，由此来提供最佳生长位置。这个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核，形成这个二维核需要较大的过饱和度，但许多晶体在过饱和度很低的条件下也能生长，为了解决这一理论模型与实验的差异，弗兰克(Frank)于1949年提出