材料物理2010第3章10.3-5 磁畴 应用等 -qr2009.pptVIP

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材料物理2010第3章10.3-5 磁畴 应用等 -qr2009

* 是利用磁流体对磁场的响应特性而实现的。如图所示,磁流体密封件由永磁体、转轴、磁极、磁流体和磁回路组成。由于磁极齿尖处磁场力最强,磁流体集中于齿尖处,在密封间隙内形成一个 “O”型液体密封环,将密封间隙充满而达到密封的目的。 * * * 磁性材料薄膜在外磁场作用下产生的圆柱形稳定磁化区域,其磁化方向垂直于薄膜材料的平面。磁性晶体一般是由许多被称为磁畴的小区域构成。在每个磁畴内部,原子的磁矩由于交换作用成平行排列状态,即表现为自发磁化。在某些磁性石榴石单晶薄膜中,垂直于膜面的方向是易磁化方向,且满足条件≥2, 其中是单轴磁晶各向异性常数(见磁各向异性),是饱和磁化强度,即磁畴的磁化在易磁化方向时能量最低用偏光显微镜垂直于膜面观察,可以清楚地看到膜中磁畴的形状在退磁状态下呈弯弯曲曲的条状磁畴大约一半的磁畴磁化方向垂直于膜面向上,另一半垂直于膜面向下。垂直于膜面方向加一向上的外磁场, 逐渐增加磁场强度。外磁场使磁化方向向上的磁畴逐渐扩张,使磁化方向向下的磁畴逐渐缩小。当外磁场增加到某一定程度时,磁化方向向下的磁畴便缩成圆柱状(如图[磁泡形成示意图])。这些圆柱状的磁畴在用偏光显微镜垂直于膜面方向观察时呈圆形,运动起来很像一群浮在水面上的小水泡,故被称为磁泡这类磁性石榴石单晶薄膜的例子之一是在无色透明无磁性的钆镓石榴石(GdGO,简称 GGO)单晶基片上(晶体的〈111〉方向垂直于膜面),用同构异质液相外延方法生长的一层数微米厚的成分为(YSmLuCa)(GeFe)O的薄膜。  60年代末期,开始提出用磁泡作存储器的想法。利用在磁性薄膜的某一位置上“有”和“无”磁泡的两种物理状态代表“1”和“0”,可实现信息的存储。控制磁泡的产生、消灭、移动和检出等可实现信息的写入、传输和读出。利用磁泡间的排斥作用还可以实现逻辑功能。用磁泡存储、处理信息的技术称为磁泡技术。  磁泡存储器具有非易失性,存储密度高,可靠性高,无高速旋转的机械部分,适合在运动条件下工作。 缺点是速度慢,取数时间是数毫秒,比磁盘稍快,但较半导体存储器慢得多。 由于磁泡存储器有上述的优点和缺点,它将在某些领域获得应用。  参考书目 A.H.Bobeckand E.D.Torre, anetic Bubble, North-Holland,Amsterdam,1975.  * * 非晶纳米晶,快速冷凝技术突破之后,磁晶各向异性近似为零。该类材料均质,各向同性。 * 磁晶各向异性、磁致伸缩系数越小,组织结构越均匀,材料的软磁性能就越好。 非晶态:没有长程有序,磁晶各向异性为0 组织结构均匀,不存在阻碍畴壁运动的晶界和析出物,决定其具有非常良好的软磁性能。 但设计时要考虑,磁致伸缩系数要接近于0 电阻比较高,频率特性好,可应用于较高的频率 纯金属的冷却速度要求达到10^10dao10^12K/s, 当晶粒为10nm左右时具有非常优秀的软磁性能,一旦晶粒长大,其性能急剧恶化。 * * 吸波材料,隐身技术的重要支撑 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 金属熔点下降 * * * * 生物芯片和电子芯片有着千丝万缕的联系,但是完全不同的两种东西。 * * 磁性液体在磁场的作用下可以自动定位,而不会四处流动。 4. 磁光材料: 是激光、光电子学和正在发展的光子学中所用多种磁光效应器件使用的磁性材料。对磁光材料的磁特性要求主要是:(1)高的磁光效应,如高的法拉第磁光旋转角和克尔磁光旋转角,(2)低的磁光损耗,(3)宽的磁光效应频带,(4)高的稳定性。 当前应用的磁光材料有3大类:(1)金属磁光材料,如锰-铋(Mn-Bi)系合金等,(2)铁氧体磁光材料,如石榴石型铋-钆-铁-镓-氧(Bi-Gd-Fe-Ga-O)系铁氧体等,(3)非晶磁光材料,如钆-钴(Gd-Co)系非晶合金等。 5 特磁材料 铁磁-铁电功能材料: 可以得到高的磁导率和电容率(介电常数),如BiFeO3(Ba,Pb)(Ti,Zr)O3系材料; 铁磁-半导功能材料: 同时具有铁磁性和半导体的铁磁-半导功能材料,可以得到高的磁导率和高的载(电)流子迁移率,如铕-硫(Eu-S)系和铕-硒(Eu-Se)系材料。 磁-电材料: 是一类由磁场可产生磁化强度和电极化强度,由电场可产生电极化强度和磁化强度的磁性材料,如DyAlO3和GaFeO3。 铁磁-有机材料: 是一类不含磁性金属的纯有机化合物磁性材料,如聚三氨基苯[C6H5(NH3)n]等。可以说多功能磁性材料是正在发展和扩大的新型磁性材料。 5 特磁材料 纳米磁性材料是指三维空间中至少有一维的尺度在1-100纳米范围的材料,他们应表现出以下共同的基本特征之一: 1 量子尺寸效应 2 小

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