晶体管原理与设计（微电子器件）第5-9章.ppt

* 5.9 MOSFET 的结构及发展方向 MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短，目前已经缩短到小于 0.1 ?m 。这种发展趋势可以用 摩尔定律 来描述： MOS 集成电路的集成度每 18 个月翻一番，最小线宽每 6 年下降一半。目前预测的最小极限尺寸是 25 nm，尽管这种对极限尺寸的预测也在不断下调。 MOSFET 的发展过程，就是在不断缩短沟道长度的同时，尽量设法消除或削弱短沟道效应的过程。 5.9.1 按比例缩小的 MOSFET 1、恒场按比例缩小法则 为了消除或削弱短沟道效应，除了采用一些特殊的结构外，在 VLSI 中，主要采用按比例缩小法则。 设 K 为缩小因子，K 1 。恒场按比例缩小法则要求 这时器件及集成电路的性能发生如下改变： 2、恒场按比例缩小法则的局限性 (1) 亚阈区摆幅 S 不变会使亚阈电流相对增大，对动态存储器特别不利。 (2) 某些电压参数不能按比例缩小，例如 Vbi 和 2?FB 等。 (3) 表面反型层厚度 b 不能按比例缩小。可以将反型层看作一个极板间距为 b 且与 COX 相串联的电容 ，使总的有效栅电容偏离反比于 TOX 的关系而逐渐饱和。 (5) 电源电压不能完全按比例缩小。 (4) 寄生电阻的限制。 5.9.4 深亚微米 MOSFET 1、量子效应的影响 对于深亚微米 MOSFET，根据按比例缩小法则，必须采用重掺杂衬底和薄栅技术 。这样能带在表面的弯曲将形成足够窄的势阱，使反型层中的载流子在界面处 量子化。计算表明，量子效应使反型层电子浓度的峰值离开界面。可以将该现象等效为栅氧化层厚度的增加，从而导致漏极电流的衰退。 *