§7.磁性材料第一部分课件(647KB).ppt

磁滞损耗的表达式： 其中 ; b= dμi /dH (b为瑞利系数) 1.如 b不变,在相同的Bm条件下, μi?, ?但当μi ?,往往仍可使b ?。 2.如 μi不变,使b ?即减少不可逆壁移所占比例， ? 。 因此使晶粒尺寸?,并使k1?0,使磁化以可逆壁移、畴转为主。（如叵明伐效应冻结壁，不可逆壁移难于发生） 从上面看出, 降磁滞损耗方法： （一）在低场作用下： 1.tg?n?与 μi ?一致,即要使可逆磁化为主: 2.但随μi ?不可逆磁化易产生,即b ?,故须采用 μi ?与不 一致的方法: 晶粒较小,均匀,完整;晶界相对较厚,气孔少。 举例： 在MnZn中,如用Ti4+取代部分Fe3+， Ti4+取代使 k1?0；可降低T烧,，晶粒生长较小，气孔率低; 在NiZn中加入Co(少量)形成Ku(单轴各向异性);产生叵明法效应: 等导型 ;蜂腰型(在弱场下）； （二）在强场作用下: 加速不可逆磁化的发生(在小H发生)要Hc小, μi?,使磁滞回线面积? : ① 配方原则: k1→0, ?s → 0原料要求纯,活性好,与μi ?一致(高μ材料); ②工艺原则: 高密度,较大晶粒,均匀,完整,无异相掺杂,内应力?; 晶界薄而整齐,气孔少;与高Bs材料基本一致； 叵明法效应: 磁滞回线具有下列特性称为叵明法效应; ①当工作H较弱时,B～H成直线(无非线性与磁滞回线); ②当工作H较强时,磁滞回线成蜂腰型； ③当H很高时,上述两特性消失,此时磁滞回线成正常回线且降低H不再恢复原特性 H较弱 H很强 H较强 B H B B H H （三）、剩余损耗 剩余损耗：是软磁材料除涡流损耗和磁滞损耗以外的一切损耗，在低频弱场,主要是磁后效损耗，在高频场,共振尾巴延伸致低频场; 磁后效决定于: 扩散离子与空位浓度;与工作温度、频率有关; 扩散弛豫时间:? = 1 / (9.6 ?? f ? exp(-?/T)) f:晶格振动频率; ? :扩散离子浓度; ? :激活能; 离子激活能θ高,环境温度T低,则? 远较应用频率对应的? 长，损耗小; 一般情况下： ①Fe2+ =Fe3++ e 通过电子扩散,Q低，后效损耗发生在低温( - 100 ~ -200oC);但 Ni2+ = Ni3++ e ，Co2+ = Co3++ e 通过电子的扩散Q高,发生于室温; ②Fe2+ =Fe3+ 通过空位扩散,出现在室温; ③对某种铁氧体,在某一温度和频率下,具有一损耗最大值; f上升，损耗峰移向高温; ④因此控制后效损耗，从工艺上，防止Fe2+ 和 Fe3+通过空位扩散。 MnZn气孔少,损耗小;NiZn 气孔多,损耗大; ⑤从应用上: 避开峰值时f (T一定);避开峰值时T( f一定); * * 引言 无论是电子技术、电力技术、通信技术、还是空间技术、计算技术、生物技术，乃至家用电器，磁学和磁性材料都是不可缺少的重要部分。 从1902年P.塞曼和H.A.洛伦兹获得诺贝尔奖，到1998年华裔的崔琦先生获诺贝尔物理学奖，至少有24次诺贝尔奖得主在磁学领域作出了杰出的贡献； 公元前2500年我国已有磁性指南——司南的记载，其开创了人类对磁学和磁性材料研究的先河； 以磁科学进行研究的创始者当数吉尔伯特，后经安培、奥斯