第八章 光刻工艺方案研究.pptx

第5章;本章主要内容;光刻工艺简介和特点;光刻要素;光刻胶;光刻胶的组成;g线和i线正型光刻胶(二氮萘醌或DNQ 材料);g线和i线的光刻胶的问题;远紫外光刻胶(多羟基苯乙烯);电子束抗蚀剂;衡量光刻胶好坏的标准;灵敏度 衡量的是需要多少光才能曝光胶，灵敏度高可以提高生产率；过高的灵敏度使材料不稳定，对温度敏感；低灵敏度可以得到更高的对比度和更大的工艺容差 对比度 区分亮区和暗区的能力，对特征边缘的灰区,光刻胶会怎样的响应；对比度并不是一个常数，依赖于工艺参数 典型的g线和i线，对比度可达2~3 DUV胶，典型值可达5~10 临界调制传递函数 是某光强，亮和暗的一种对比性亮度 g线和i线光刻胶，典型值为0.4左右 DUV胶，典型值为0.1~0.2 ;掩模是光刻工艺加工的基准，质量的好坏直接影响光刻质量，从而影响集成电路的性能和成品率 在硅平面器件生产中，掩模制造是关键性工艺之一 掩模版包含着预制造的集成电路特定层的图形信息，决定了组成集成电路芯片每一层图形的横向结构与尺寸 掩膜版是光刻工艺复制图形的模板 掩膜版是IC设计与IC制造之间的接口与桥梁 所用掩膜版的数量决定了制造工艺流程中所需的最少光刻次数 一个典型的CMOS工艺所需的掩膜版层数大约在15-20块，而某些BiCMOS工艺的掩膜版层数则可增加到28块 ;制版程序：绘制版图→数据转换成图形发生器的专用文件（CIF文件，PG文件等）→驱动和控制图形发生器，以一定的间距和布局，将掩膜图形印制于掩膜材料上，进而制备出批量生产用的掩膜版;掩膜版发展历程和分类;石英衬底;超高分辨率干版;辅助剂：增感剂、防灰雾剂、稳定剂以及坚膜剂等 增感剂的作用是使卤化银的感光范围展宽 防灰雾剂的作用是抑制乳胶中灰雾中心的形成，常用的防灰雾剂有苯酚三氮唑、溴化钾等 分散介质：在乳胶中起分散介质和支撑体的作用;定义： 在玻璃基板上蒸发或溅射一层几十到几百nm厚的金属或金属氧化物 在其上用光刻胶作为感光层 在玻璃板上真空蒸铬，获得铬膜，进行光刻，得到版图；其过程和光刻硅片上的氧化层相同，只是腐蚀对象不是二氧化硅，而是金属铬。 ※使用铬、氧化亚铜版，硅版，氧化铬和氧化铁（氧化铁解决了乳胶板的不耐用问题，又解决了铬板的不透明和针孔多的问题，而且在光学特牲、致密度等多方面都优于铬板） 彩色版：后四种的另一称谓;制铬版过程：;对掩膜版的质量要求： 图形尺寸准确，符合设计要求 整套掩膜版中的各块版应能依次套准，套准误差尽可能小 图形黑白区域之间的反差要高 图形边缘要光滑陡直，过渡区小 图形及整个版面上无针孔，小岛，划痕等缺陷 坚固耐用，不易变形 掩模版的质量检测： 掩模版外观及版面图形一般质量检查 小尺寸检查 间距测定 套准精度测定 缺陷检查 ;掩模缺陷的种类;光刻版缺陷的危害和处理;几种掩膜版的特性比较;光刻机-曝光光源及要求;光刻机-曝光光源;光刻常用的光波长;准分子激光;光刻机-投影系统;分辨率;调制传递系数;i线光刻机 汞灯 压缩空气做动力 自动接近式曝光 手动取片，装片;光刻机-扫描光刻机;光刻机-步进重复光刻机;数字微镜DMD空间光调制器 DMD是一个阵列，由m×n个可偏转微平面镜组成 各微镜是否偏转受图形发生器传过来的信号控制 不偏转的微镜组合实现所需的掩模图形;提高扫描光刻机曝光性能的方法－柯勒照明和偏轴照明;提高扫描光刻机曝光性能的方法－掩膜版工程：近邻效应纠正和相移掩膜;相移掩膜;图形转换-曝光技术;衍射效应及其影响;光经过掩膜版的小孔，携带了孔径的大小和形状的信息，光应当将这些信息传递给硅片上的光刻胶 聚焦镜头大小有限，只收集到与通过孔径的光有关的全部衍射图案的一部分，衍射到更宽角度的光所携带的信息是关于孔径精细结构的，这些细节最先损失掉;图形转换－光刻技术;深紫外线光刻：浸没式光刻技术;浸没式光刻技术：材料的要求;极紫外光刻技术;极紫外光刻技术;分类: 带电粒子无掩模光刻 光学无掩模光刻，如空间光调制器（SLM）无掩模光刻技术、干涉光刻技术（ interference lithography ，IL）、衍射光学元件光刻技术等 干涉光刻技术 原理：光刻图形利用激光束的干涉来生成，经过双光束、多光束一次曝光或双光束、多光束多次曝光产生周期图形。利用的是傅立叶频谱综合法 优点： 能综合出大面积、高空频的微细结构 缺点：相对光强和相对位相难以控制，综合的形状只是近似的，制作任意面型的微细结构相当困难;空间光调制器（SLM）无掩模光刻技术;电子束光刻;提高电子束直写产率的方法——SCALPEL (scattering with angular limitation projection electron-beam lithography );电子束直写－SCALPEL的过程;离子