第十章 其它显微分析方法技巧.pptVIP

1986年，E.鲁斯卡(德国)、 G.宾尼(德国)，H.罗雷尔(瑞士) 共同获得诺贝尔物理学奖。 Gerd Binnig 1/4 of the prize Federal Republic of Germany b. 1947 Heinrich Rohrer 1/4 of the prize Switzerland b. 1933 Ernst Ruska 1/2 of the prize Federal Republic of Germany b. 1906d. 1988 扫描隧道显微镜（STM）的基本原理 扫描隧道显微镜（STM）：是不用光源也不用透镜，其显微部件是一枚细而尖的金属（如钨）探针。 工作原理：根据量子力学中的隧道效应原理，其装置与原理示意图如图 1 所示。 饿歇电子谱峰的分析 定性分析： 用实测的直接谱峰位置或微分谱上以“负峰”的能量值作为俄歇电子的能量，用以识别元素－－定性分析。 定量分析： 以峰-峰值（正负峰高度差）代表俄歇峰的强度－－用于定量分析。 Ni-Cr合金钢回火脆断口的俄歇电子能谱图 饿歇电子谱的定性分析 定性分析： 习惯上用微分谱进行，元素分析范围：Li3～ U92。 绝大多数元素和一些典型化合物的俄歇积分谱和微分谱已汇编成标准AES手册，因此，由测得的俄歇谱来鉴定探测体积内的元素组成是比较方便的。 轻元素KLL俄歇微分谱线较简单；随着Z的增加，较重元素的LMM俄歇谱线变得复杂并出现重叠。 当表面同时存在较多元素时，俄歇谱线重叠现象增多。 在与标准谱进行对照时，除重叠现象外，还需注意： ① 因化学效应或物理因素引起峰位移或谱线形状变化； ② 因与大气接触或试样表面被沾污而引起的沾污元素的峰。 俄歇电子显微分析谱图－錫-銀-銅-Bi系材料 俄歇电子面分析成分分布图 试样：錫-銀-銅-Bi系材料 左上为试样表面二次电子像 左下为Ag的俄歇电子分布图 右下为Cu的俄歇电子分布图 右上为两元素分布与二次电子形貌像重叠图（红－Cu，绿－Ag） 俄歇电子能谱分析的应用 通过测定和解释AES的特征能量、强度、峰位移、谱线形状和宽度等信息，能获得固体表面的组成、浓度、化学状态等多种情报。 1. 元素的定性和定量分析 AES定量分析依据：俄歇谱线强度。强度表示法：指微分谱中正、负两峰间距离，称峰到峰高度。 因影响俄歇谱线强度因素很多，故定量分析较复杂，精度低，只能半定量结果。 2. 微区分析：利用俄歇能谱面分布或线分布分析就是微区分析。 3 .状态分析 状态分析：对元素结合状态的分析。它是利用俄歇峰的化学位移，谱线变化（峰出现或消失），谱线宽度和特征强度变化等信息，可推知被测原子的化学结合状态。 4 .深度剖面分析 利用AES可得到元素在原子尺度上的深度方向的分布。 方法：通常采用惰性气体离子溅射的深度剖面法；因溅射速率取决于被分析的元素，离子束种类、入射角、能量和束流密度等多因素，溅射速率难以确定，一般用溅射时间表示深度变化。 5 . 界面分析： 用AES研究元素的界面偏聚时，须暴露界面（如晶界面，相界面，颗粒和基体界面等。 一般利用样品冲断装置，在超高真空中使试样沿界面断裂，得到新鲜的清洁断口，然后以尽量短的时间间隔，对该断口进行俄歇分析。 对在室温不易沿界面断裂的试样，可采用在液氮冷却等措施。也可用金相法切取横截面，磨平，抛光或适当腐蚀显示组织特征，然后再进行俄歇图像分析。 俄歇电子能谱的应用 俄歇电子能谱的应用： 在材料科学研究中，俄歇电子能谱的应用有： ① 材料表面的偏析，表面杂质分布； ② 金属、半导体、复合材料等的界面研究； ③ 薄膜、多层膜生长机理的研究； ④ 表面的力学性质（如磨擦、磨损、粘着、断裂）研究； ⑤ 表面化学过程（如腐蚀、钝化、催化、晶间腐蚀、氧化等）研究； ⑥ 固体表面的吸附、清洁度、沾染物鉴定等。 应用举例（1） 1 . 地质、矿物： 下图为由阿波罗宇宙飞船带回地球的月球尘埃颗粒的俄歇谱。测出一个颗粒含Si、C、O和Fe，另一个颗粒组成元素含Ca、Ti、O、Al和Si，注意的是：后者没探测到C。 应用举例（2） 2. 氧化和腐蚀： 利用AES研究添加3%、9%、12%和18%Cr的Fe-Cr合金在400℃温度下形成氧化物的组成和性能。 氧化物组分深度剖面分析表明：添加3%Cr合金的氧化层主要由铁组成。而≥9%Cr合金形成层状氧化物，即外层存在Fe2O3，内层是Fe3-xCrxO4，靠近基体的为铬氧化物和Fe。说明添加Cr≥9%合金推迟了氧化物的生长。 应用举例（3） 3. 断裂原因分析：如0.32C-0.02P-3.87Ni-2.3Cr合金钢淬火后，在396-594℃回火后缓冷 ，产生明显的回火脆性。 断口AES分析表明：断口上除含Fe