大规模集成电路设计题目及答案.doc

第1题 3.19（b）（f） （f） 解：曲线图如下示： 由于M2为的栅、源等相位，故在时，M2总工作在饱和区。 （1）当时，； （2）当时，M1处于线性工作区，如图中区域1示； （3）当时，M1达到饱和，如图区域2示； （4）当时，M2截止，此时M1仍工作与饱和区，且当时，如图区域3示。 （b）解：曲线图如下示： （1）当时，此时M3接使其饱和，而M1、M2漏源所加电压为零，工作于线性工作区。当上升至时，M1达到饱和，故当时，M1、M2工作于线性工作区，M3处于饱和状态，电流变化曲线如区域1所示； （2）随着的继续升高，也将升高，且当其等于时，此时的M3将由饱和区转为线性工作区，设此时对应的记为，因此当时，M1、M3工作于饱和区，M2工作与线性放大区，如图中区域2示。由于的变化幅度各个MOS管的参数有很大的关系，因此此区域的面积有很大的可变性； （3）M3工作于饱和的临界条件为，因此当时，M1、M2工作于饱和区，M3处于线性工作区，如图中区域3示； （4）当时，M2关断，M1处于饱和，M3工作于线性放大区，如图中区域4示。 第2题 4.16（b） 解：（1）. Vid=Vi1-Vi2，Vid从0变化到VDD 当Vid=0，由电路的对称性可知：Vout=0，即曲线过零点。当Vid逐渐增大时，即Vi1比Vi2更正时，流过M1管的电流大于M2管的电流，则左端输出电压Vout1右端输出电压Vout2，Vout=Vout1-Vout20。曲线在X轴下方。随着Vid的继续增大，Vout继续下降，到一定值时，M1管流过所有的电流,M2管截止，输出电压维持此刻的值不变。 （2）. 对于（b）:当Vic=Vin1=Vin2=0时，由于M1管和M2管的栅极电位不比它们的源极电位更正，所以M1和M2都处于截止状态，（此时M5处于深度线性区），所以Vout=VDD-VTH,N。 随着Vic的增大，当Vic≥VTH时，M1管和M2管导通，Vout逐渐降低，当Vic足够高时，M5管的漏-源电压将大于VGS5-VTH,N，使M5管工作在饱和状态。此时，流过M1管和M5管的电流相等（电路的对称性）且保持恒定。此时有：Vout=VDD-VGS3. 对应的输入电压Vic=VGS1+(VGS5-VTH,N) 。Vic继续增大至VDD，Vout保持不变。 根据以上分析，可以得出图（b）所对应的输出电压波形，如下图所示： 第3题5.13（b）画出图中与之间函数关系的草图。 解：当时，M1，M2，M3全部导通，且 , 其中。 当时，随着的上升，、上升，下降，一直下降至M3关断。然后M1、M2相当于IREF的电流反射镜。当上升到一定程度后，IREFR1下降，VX上升，当M1变成三极管且不能承载的电流时，VX达到最高点。 则可有与之间函数关系的草图如下： 第4题 6.9（c）计算图中每一个电路在非常低和非常高的频率下的增益。忽略所有的其他电容，假定。 解：由知，忽略电路中cmos元件的衬偏效应。 （1）在非常低的频率下，电路中含电容的支路可视为断开，则上图电路简化为 消去R1、R2，电路等效为： 由上图知，从Vout看过去，等效阻抗为1/gm3,流过M1的电流为gm1Vin，则电压增益 。 （2）在频率很高的情况下，原图中电容可视为被短接，则电路图可简化为： 从Vx看过去，等效阻抗为1/gm2,流过M1的电流为gm1Vin，则。 从Vout看过去，等效阻抗为R1//R2,所以电压增益 第5题 7.7（d） 求图中电路的输入参考热噪声电压。假定。 解：该电路的增益可以表示为 该电路的输出参考热噪音电压可以表示为 由上式可知，M2没有产生噪音，这是因为如果忽略了M1 M3的沟道长度效应，那么,从而M2对没有影响。 因此电路的输入参考热噪音电压 第6题 8.10（c） 利用反馈技术，计算图中电路的输入和输出阻抗及电压增益。 解： 环路增益为： 开路输出阻抗为： 开路输入阻抗为： 开路电压增益为： 当时：，， 第7题 9.18 基于图9.68所示的结构，我们设计一个两级运放。假设功耗为6mW，要求的输出摆幅为2.5V，对所有器件=0.5m。 如果分配1mA的电流给输出级，分配大约相等的过驱动电压给和，请确定和。请注意，的栅源电容处在信号通路中，而的电容不是。因此，可以比大得多。 计算输出级的小信号增益。 如果剩下的1mA电流通过，要求，请确定（以及）的宽长比。这是为了保证：当=0以及因而时，则传输预计的电流。 计算和的宽长比，以使该运放的总增益等于500。 解： 由题意知：功耗P=6mW，输出摆幅为2.5V，对所有器件=0.5m， （a） 因为电流给输出级=1mA，和的过驱动电压=0.2