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2.1 二极管、三极管、MOS管的开关特性 半导体基础知识 * 2.本征半导体 1.半导体: 3.掺杂半导体： 不仅有电子载流子，还有空穴载流子 ① P型半导体 ② N型半导体 理想开关特性的静态特性： 闭合时电阻为0 实际上开关闭合时总是有一个很小的电阻，断开时电阻不可能为∞，转换过程总要花一定的时间 开关动作在瞬间完成 断开时电阻为∞ 开关特性 静态开关特性： 动态开关特性： 二极管 耗尽层、耗尽区、空间电荷区 ㈠内特性： PN结特性 PN结 动态平衡时，扩散电流与漂移电流大小相等，方向相反。 外特性： 外加正向电压示意(导电） PN结变窄 P N + - R PN结变宽 P N - + R 外加反向电压示意（截止） PN截止 ①加正向电压： ②加反向电压： PN结导通，电阻很小 二极管具有单向导电性 二极管的开关特性 （一）静态特性 二极管加正向电压时导通，伏安特性很陡，压降很小（硅管：0.7V，锗管0.3V），可以近似看作是一个闭合的开关 二极管加反向电压时截止，截止后的伏安特性具有饱和特性（反向电流几乎不随反向电压的增大而增大）且反向电流很小（nA级），可以近似看作是一个断开的开关。 伏安特性 0 uD iD 导通时的等效电路 截止时的等效电路 + - - + 存储时间 （二）动态特性 当uD 为一矩形电压时 电流波形的不够陡峭（不理想） t t 0 0 反向恢复时间 漏电流 iD uD uD iD 上升时间 二极管UD的电流的变化过程 上升时间、恢复时间都很小，基本上由二极管的制作工艺决定 存储时间与正向电流，反向电压有关。 UD R 波形和“单向阀”的特性是相似的 这就限制了二极管的最高工作频率 静态特性 NPN 发射结 集电结 发射极 emitter 基极 base 集电极 collector b iB iC e c (电流控制型) 1. 结构、符号和输入、输出特性 (2) 符号 N N P (1) 结构 三极管(Transistor) (3) 输入特性 (4) 输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40μA 30 μA 20 μA 10 μA iB = 0 0 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 饱 和 区 0 uBE /V iB / μA 发射结正偏 放大 i C= ? iB 集电结反偏 饱和 i C ＜ ? iB 两个结正偏 I CS= ? IBS 临界 截止 iB ≈ 0, iC ≈ 0 两个结反偏 电流关系 状态 条 件 三极管的开关特性 三极管是电流控制的电流源，在模拟电路中，工作在放大区。 在数字电路中工作在饱和区或截止区——开关状态。 ICS IBS IB=0 UCC iC uCE uO ui iB T Rc RB UCC 饱和区 放大区 截止区 uCE iC 0 负载线 三极管CE之间相当于一个开关：在饱和区 “闭合” ，截止区“断开” iC uCE uO ui=0.3V iB T Rc RB UCC 饱和区 截止区 ICS IBS IB=0 UCC uCE iC 0 1.三极管的截止条件和等效电路 当输入信号uI=UIL=0.3V时（UBE=0.3V0.5V） 三极管截止， 可靠截止条件为:UBE0V 截止时，iB、iC都很小，三个极均可看作开路 iC ≈ 0， uO=UOH=UCC 输入特性 0 uBE/V iB 0.5 0.7 iB=0， 等效电路 B C E 输出特性 2.三极管的饱和条件和等效电路 在模拟电路中，为了不产生失真，通常规定饱和时UCES=1V。 由于三极管的输入特性很陡，通常认为饱和时的UBES和导通时的UBE相等（硅管：0.7V，锗管0.3V） 在数字电路中，为了更接近理想开关，规定饱和时UCES=0.3V。 输入特性 0 uBE/V iB/μA UBES 饱和区 截止区 ICS IBS IB=0 UCC uCE iC 0 输出特性 UCES 将三极管刚刚从放大进入饱和时的状态称为：临界饱和状态。 当输入信号uI=UIH=3.6V时 iC uCE uO ui=3.6V iB T Rc RB UCC IB=0 UCC uCE iC 0 输出特性 ICS IBS UCES 临界饱和集电极电流： 定义饱和深度： 临界饱和基极电流： 可靠饱和条件为：iB≥IBS UCES B C E UBES 等效电路 3.三极管的动态开关特性 当基极施加一矩形电压uI时 截止到饱和所需的时间称为开启