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* 第1章 VLSI概论 * 自20世纪70年代以来，集成电路一直遵循摩尔定律 今后集成电路的技术进步，仍将继续遵循摩尔定律 硅仍然是制造集成电路的主要材料 世界集成电路至少还有10年的高速增长期 §1.2 摩尔定律(Moore’s Law) * 第1章 VLSI概论 * 1 按集成电路规模分类 小规模集成电路(Small Scale IC，SSI )：10门 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI)：10~100门 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI)：100~10000门 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI)：104~106门 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI)：106~108门 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI)：108门 2 按制造工艺分类 双极IC CMOS IC Bi-CMOS IC §1.3 集成电路的分类 * 第1章 VLSI概论 * 3 按处理的信号类型分类 模拟集成电路 数字集成电路 数模混合集成电路 射频集成电路 系统级芯片 4 按设计方法分类 全定制设计 半定制设计 可编程设计 5 按生产的目的分类 通用集成电路 专用集成电路（ASIC） §1.3 集成电路的分类 * 第1章 VLSI概论 * Design Manufacture Testing Packaging EDA Tools Computer Design Design Manufacture Packaging Testing §1.4 集成电路产业链 * 第1章 VLSI概论 * §1.5 集成电路设计方法 集成电路设计工具 CAD：SPICE电路模拟软件，电路模拟，版图编辑和规则检测 CAE：版图自动布局布线和逻辑模拟 EDA：自上而下的结构和行为综合设计 ESDA：自上而下的系统级综合设计 * 第1章 VLSI概论 * §1.5 集成电路设计方法 设计要求： 1.开发时限尽可能短设计周期 2.计算设计费用，制造费用，人工费等设计成本 3.设计正确性 4.设计过程集成化要求更好的EDA工具 5.可测试性 * 第1章 VLSI概论 * §1.5 集成电路设计方法 一般的设计流程 系统描述 行为级仿真及优化 寄存器传输级设计综合 门级综合仿真 测试生成 电路设计及分析 物理设计及优化 版图设计验证 芯片制造 前端设计 后端设计 * 第1章 VLSI概论 * 集成电路设计能力的发展趋势 1 10 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 10,000,000 2003 1981 1983 1985 1987 1989 1991 1993 1995 1997 1999 2001 2005 2007 2009 10 100 1,000 10,000 100,000 1,000,000 10,000,000 100,000,000 每芯片逻辑晶体管数 人均每月设计晶体管数 x x x x x x x 每年设计能力的 综合增长率为21% x 每年复杂度的 综合增长率为58% 10,000 1,000 100 10 1 0.1 0.01 0.001 每芯片逻辑晶体管数 (M) 0.01 0.1 1 10 100 1,000 10,000 100,000 设计能力 (K) 人均每月设计晶体管数 Source: Sematech 芯片复杂度的增长速度超过了设计能力的增长速度 复杂度 §1.5 集成电路设计方法 * 第1章 VLSI概论 * 1 采用更有效的设计方法和设计流程 2 采用更有效、更合适的EDA设计工具 3 采用更高层次的设计综合方法和最强有力的验 证手段，保证设计的一次成功 4 采用低功耗设计方法解决功耗问题 5 在前端设计时充分考虑后端设计的要求，减少 迭代次数 6 采用可测试设计方法，保证芯片的可测试性 基本解决方案 §1.5 集成电路设计方法 * 第1章 VLSI概论 * 层次化设计：抽象层次 n+ n+ S G D + 器件 电路 门 模块 系统 §1.5 集成电路设计方法 行为域 结构域 几何域 * 第1章 VLSI概论 * §1.5 集成电路设计方法 自顶向下(Top-down) 自底向上(Bottom-up) 层次化设计的 一般框图 抽取高层模型-Verilog DHL 系统描述 逻辑组合 电路设计 物理（版图）设计 工厂加工 底层 顶层 初始定义 系统设计 与验证 逻辑设计与验证 CMOS设计与验证 硅片