MEMS技术 第八章——设计实例.pptVIP

复合量程微加速度计的设计 一、压阻式微加速度计的工作原理 二、硅材料的选择 (a)和(b)为悬臂梁式结构，优点是灵敏度高，但其一阶固有频率低，频率响应范围窄，且横向灵敏度较大。 (c)～(g)为固支梁结构 ，其一阶固有频率比悬臂梁式结构高得多，有利于扩大传感器的频率响应范围。但在电桥中压敏电阻数量相同的情况下，其灵敏度低于悬臂梁式结构。 (g)图所示的四边八梁结构横向灵敏度最低，但其输出灵敏度也最低。 综合考虑，所要设计的传感器采用 双端四梁结构(e)，该结构在保证一定的输出灵敏度的基础上能够较好地解决横向灵敏度的问题。 边界约束主要考虑加工工艺的影响，根据某加工单位的实际加工水平提出的约束条件如下： 2) 梁宽（b1）： b1=80μm； 3) 梁长（L1） ： L1 =1000μm； 4) 梁厚（h1）： h1=30μm； 5) 质量块厚度（h2） h2=395μm; 由于要在同一批工艺中同时实现复合量程微加速度计中的四个结构，因此四个结构中质量块的厚度、梁的厚度必须一致。 SET TIME/FREQ LOAD STEP SUBSTEP CUMULATIVE 1 26908. 1 1 1 2 35464. 1 2 2 3 59671. 1 3 3 4 72029. 1 4 4 5 0.32776E+06 1 5 5 对0-100g结构进行模态分析，得到结构的前五阶固有频率及其前三阶的振型如下所示。 结构静力学分析是ANSYS 产品的家族中7种结构分析之一，主要用来分析由于稳态外载荷所引起的系统的位移、应力和应变，其中稳态载荷主要包括外部施加的力和压力、稳态的惯性力如重力。 在该结构设计时，在结构上加载满量程加速度值（如为0-100g量程的结构，在进行静力学分析时加载100g的加速度），查看结果时，主要判断梁上的最大等效应力值是否超过硅材料的弯曲强度(80MPa)。 2.静力学分析 结构等效应力分布云图 3.路径分析 在静态求解之后通过路径分析来判断梁上的应力是否线性分布，在得到梁上应力的线性分布区域之后，在应力值最大的线性区域放置压敏电阻。 应力的线性分布区域为距离梁根部和端部20um的范围内。为了最大限度地同时满足传感器灵敏度与线性度要求，选择压敏电阻的放置区域为距离梁根部和端部20um。在每个电阻得放置位置处选取三条路径，分析电阻位置处的应力分布情况，求出电阻位置的平均横向应力与纵向应力值。 根据上述方法得到8个电阻位置的平均纵向应力与横向应力 4. 输出灵敏度分析 电桥的输出电压 输出灵敏度 5.横向输出灵敏度分析 分别在x、y轴向加载100g的加速度，求解惠斯通电桥的输出电压，得到x、y方向的横向灵敏度 6. 阻尼的分析与设计 在系统中添加粘滞流体，利用流体为结构提供阻尼力可以降低结构的振动幅值，避免结构因共振而损坏。 将梁-质量块结构等效为弹簧、阻尼器、质量块构成的二阶单自由度振动系统 ，如图所示。经分析，得 c k m 加速度计等效模型 阻尼的设计可以通过静电键合技术，在硅结构层的下面制作玻璃盖板实现。由流体力学的雷诺方程可知，调节质量块-玻璃盖板间距可以调节阻尼参数。 其中 因此得到阻尼比与质量块-玻璃盖板间距之间的关系，如图。 阻尼比的计算公式 综合考虑四种结构的性能要求以及工艺实现的精度要求，取质量块下底面与玻璃盖板之间的距离为2.3um。得到四种结构的阻尼比分别为0.827、0.676、0.585和0.499。 7.抗过载能力分析与设计 硅结构层包括框架、质量块和四根梁 ；下层为玻璃结构。静电键合间距为5um。以量程为100g的结构为例进行抗过载性能的仿真与分析。 当作用在结构上的加速度载荷 g时，