存储系统和结构讲义.pptVIP

图中共25×8=256个存储元，排列成32个字，每个字长8位。 有5条地址线，经过译码产生32条字线w0～w31。 某一字线被选中时，同一行中的各位b0～b7就都被选中，由读写电路对各位实施读出或写入操作。 优点：结构简单； 缺点：当字数大大超过位数时，存储体会形成纵向很长而横向很窄的不合理结构，这种方式只适用于容量不大的存储器。 具体做法：将K位地址线分成接近相等的两段，一段用于水平方向作X地址线供X地址译码器译码；一段用于垂直方向作Y地址线供Y地址译码器译码。X和Y两个方向的选择线在存储体内部的每个存储元上交叉，以选择相应的存储元。 图示 4K×1位芯片为例，共12根地址线 (2)双译码方式(重合法) 双译码方式存储芯片 位结构(容量为M×1位) 字段结构(容量为M×b位) 对于位结构的存储芯片，可用b片M×1的存储芯片并列连接起来(在Z方向上重叠b个芯片)组成一个M字×b位的存储器。 对于字段结构的双译码方式存储芯片，一根行选择线选择s个b位长的字，一根列选择线选择b位数据 Kx＝log2M/s Ky＝log2s 例：某芯片容量为1K×4位，方阵排列存储阵列，双译码方式，试求X、Y方向地址线的条数 解： 1K×4位芯片需要4096个存储元形成64 × 64方阵 则 s＝64/4=16 ∴行选择线为M/s＝1K/16＝26 ∴X方向地址为6根 一根列选择线选择b位存储元，共需s根即16根列选择线，即Y方向地址线为4根。 ROM最大的特点是具有非易失性 ROM分类 掩膜式ROM(MROM)，其内容由半导体制造厂按用户提出的要求在芯片的生产过程中直接写入的，写入之后任何人都无法改变其内容； 一次可编程ROM(PROM)， 允许用户利用专门的设备（编程器）写入自己的程序，但一旦写入后，其内容将无法改变 PROM出厂时，所有存储元均制成“0” 或“1”，用户根据需要自行将其中某些存储元改为“1”或改为“0” 熔丝烧断型和PN结击穿型 四、半导体只读存储器（ROM） 位 单 元 D3 D2 D1 D0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 2 0 1 0 1 3 0 1 1 0 行线 列线 VCC 熔丝 存0，则烧断熔丝；存1，熔丝不断。 只能实现一次编程 可擦除可编程ROM（EPROM） EPROM出厂时，存储内容为全“1”，用户根据需要将其中某些存储元改为“0” 当需要更新存储内容时可以将原存储内容擦除（恢复全“1”），可再写入新的内容 EPROM分为 紫外线擦除（UVEPROM） 电擦除（EEPROM） 闪速存储器 可在不加电的情况下长期保存信息，能在线快速擦除与重写，兼备EEPROM和RAM的优点 5.4主存储器的连接与控制 一、主存容量的扩展 根据存储器所要求的容量和选定的存储芯片的容量，可计算出总的芯片数： 总片数＝ 将多片组合起来常采用位扩展法、字扩展法、字和位同时扩展法。 位扩展 仅在位数方向扩展（加大字长），芯片的字数和存储器的字数是一致的。 连接方式：将各存储芯片的地址线、片选线和读写线相应地并联起来，而将各芯片的数据线单独列出。 举例，用64K×1位的SRAM芯片组成64K×8位的存储器 CPU访问该存储器时发出的地址和控制信号同时传给8个芯片，选中每个芯片的同一单元，相应单元的内容被同时读至数据总线的各位，或将数据总线上的内容分别同时写入相应单元。 字扩展 仅在字数方向扩展而位数不变； 连接方式：各存储芯片的地址线、数据线和读写线并联，由片选信号区分各芯片； 举例，用16K×8位的SRAM芯片组成64K×8位的存储器 在同一时间内4个芯片中只能有一个芯片被选中，A15A14 =00，选中第一片，A15A14 =01，选中第二片，…… 4个芯片的地址分配如下： 第一片 最低地址 0000 0000 0000 0000B 0000H 最高地址 0011 1111 1111 1111B 3FFFH 第二片 最低地址 0100 0000 0000 0000B 4000H 最高地址 0111 1111 1111 1111B 7FFFH 第三片 最低地址 1000 0000 0000 0000B 8000H 最高地址 1011 1111 1111 1111B BFFFH 第四片 最低地址 1100 0000 0000 0000B C000H 最高地址 1111 1111