材料制备技术3.1化学气相沉积法.pptVIP

第三章 经典合成方法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 化学气相沉积法是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应，生成固态沉积物的技术。 3.1 化学气相沉积法（CVD） CVD技术在材料制备中的特点： （1）保形性 即沉淀反应如在气固界面上发生时，沉淀物在原固态底基物上包覆一层，不改变原固体底基物的形状。 （2）可以得到单一的无机合成物质，并以此作为原材料，制备出更多的产品，如超纯多晶硅测量的指备。 3.1 化学气相沉积法（CVD） （3）采用特殊基底材料，在沉积物达到一定厚度以后，很容易与基底分离，这就可得到各种形状的游离沉积物材料。如碳化硅器皿和金刚石薄膜部件。 （4）可用于制备晶体或细粉状的物质，特殊的工艺条件下，可以生产纳米级的微细粉末 反应气体输运 气体组分的扩散 表面吸附 表面扩散 表面化学反应 副产物解离脱附 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.1 热分解法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.1 热分解法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.2 化学合成法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.2 化学合成法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.2 化学合成法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.2 化学合成法 * * 对所用原料以及产物和反应类型的基本要求： （1）反应物在室温下最好是气态，或在不太高 的温度下就有相当高的蒸气压，且易得到高纯品。 （2）能够形成所需要的材料沉积层，反应副产 物易挥发。 （3）沉积装置简单，操作方便。 通过化合物气体(一般为挥发性的化合物)与其它气体进行化学反应生成固体薄膜 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.1 热分解法 热分解法一般在简单的单温区炉中进行，与真空 或惰性气体气氛中加热衬底物到所需要的温度后， 通入反应物气体，使之发生热分解，最后在衬底 物上沉积出固体材料。 热分解法已用于制备金属、半导体、绝缘体等各种材料。 主要问题：反应源物质和热解温度的选择。 原料为氢化物、有机烷氧基的元素化合物和贵金属 的羰基化合物 氢化物： 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.1 热分解法 金属有机化合物： 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.1 热分解法 氢化物和金属有机化合物体系： 其它气态配合物和复合物： 若化学沉积过程涉及两种或两种以上的气态 化合物在同一热衬底上相互反应，这类反应 为化学合成反应。 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.2 化学合成法 同时通入气态氢化物或有机烷基化物和氧气，在反应器 中发生反应沉淀出相应的氧化物薄膜。 许多卤化物也是气态或易挥发物质，要得到该元素薄膜 则需采用氢气还原的方法。 三氯硅烷的氢还原法是目前工业规模生产半导体及超纯硅 （九个九）的基本方法 3.1 化学气相沉积法（CVD） 3.1.2 化学合成法 化学气相沉积技术中其他类型的反应类型： 光通信用石英光纤的制备： 第一步：石英玻璃预制棒； 第二步：将预制棒拉制成纤维。 石英光纤预制棒制备原理： 常见制备石英光纤预制棒的工艺有以下四种： 管内沉积法 管外沉积法 轴向沉积法 等离子体激活化学气相沉积法 在光纤制造中，重要的是不混入过渡金属杂质， 不析晶无气泡，彻底消除水分 MCVD (modified chemical vapor deposition)法 OVPO (outside vapor-phase oxidation)法制备石英预制棒 VAD （vapor-phase axial deposition) 法示意图： * * * CVD是一项经典而古老的技术，也是近二三十年发展起来的 制备无机固体化合物和材料的新技术。现已广泛用于提纯物质、研制新晶体，沉积各种单晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是某些二元或多元的化合物，而且它们的功能特性可以通过气相掺杂的沉积过程精确控制。 根据CVD的保形性，可对刀具进行涂层处理，且在超大规模集成电路制造工艺中特别重要，能否在有限量的0.28μm线条宽度和1~2 μm左右的深度的图形的到令人满意的保形特性，直接影响到集成电路的产品的性能。 通常ⅢA族、ⅣA族和ⅤA族的一些低周期元素的氢化物如CH4、SiH4，GeH4，B2H6，PH3，AsH3等都是气态化合物，而且加热易分解出相应的因素。因此很适应用于CVD技术中的原料气。其中CH4、SiH4 分解直接沉淀出固态薄膜，GeH4也可以混合在SiH4中，热分解后直接生成Si-Ge合金膜