固体成象器件-CCD.ppt

§5.4 电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device) 1970年美国贝尔实验室的W.S.Doyle和G.smith发明了CCD。 基本功能是电荷的存储和转移。其基本工作过程是信号电荷的产生、存储、转移和检测。 主要应用： （1）在电子计算机或其他数字系统中用作信息存贮和信息处理； （2）用于摄像装置。 一、CCD基本原理（电荷存储） 从结构上讲，电荷耦合器件(CCD)是许多MOS电容器的集成，按一定规律排列的MOS电容器阵列组成的移位寄存器。 MOS电容的结构与性质 MOS电容器在工作时，通常在栅极与半导体衬底之间加有栅极电压Vg。 理想情况下(SiO2完全绝缘，金属与半导体之间不能转移电荷)，当Vg=0时，表面势Vs=0 表面势：指的是氧化物和半导体接触界面处相对于衬底下端的电位大小。 1、多数载流子堆积状态(Vg0) 此时半导体处于正向偏置，Vs0，P中的空穴在外电场的作用下 ，向半导体与氧化物的界面运动（向上），越接近界面，空穴浓度越大，产生空穴堆积。这种状态称为多数载流子堆积状态。 2、多数载流子耗尽状态(Vg0) 此时半导体处于反向偏置，P型硅衬底中的空穴将从界面向衬底的底部运动，在界面下一定宽度范围内形成空穴耗尽区；耗尽区深度随着栅极电压Vg的升高而不断变宽，这种状态就是多数载流子的耗尽状态。在耗尽区，空穴的浓度几乎为0。 3、载流子的反型状态(Vg0) 随着Vg的增大（VgVth ），耗尽区深度也进一步增大，以至达到深耗尽状态。 深耗尽状态下，如果有自由电子充入势阱，耗尽深度和表面势会随着电子的充入而减小。当电子充满势阱时，达到稳定状态。这时在表面处形成一个反型层。这种状态就是载流子的反型状态。 由上述讨论知： 堆积状态是空穴堆积，相当于一般电容器存贮电荷； 耗尽状态为非稳定状态，此时VgVth(阈值电压) 反型状态为稳定状态，此VgVth 1、工作状态：深耗尽状态；利用反型前的非稳定状态，人为的注入信号电荷，以便使信号电荷存贮在势阱中。 二、信号电荷的注入 CCD的基本工作过程包括信号电荷的注入、存储、传输和输出。 CCD在工作时，可以用电注入或光注入的方法向势阱中注入电荷。势阱中的电荷称为电荷包。 方式一：当用作信息存贮和处理时，通过输入端注入与信号成正比的电荷；电注入 方式二：当用作拍摄光学图象时，通过光电转换系统把光学图象的照度分布转换成电荷分布，然后通过输入端注入到势阱中。光注入 在提取信号时，需要将电荷包有规则的传送出来，这一过程叫做CCD的电荷转移（或叫做电荷传输）。 它是靠在时钟脉冲作用下不断改变各个MOS电容器的栅极电压，以电荷耦合方式实现的。 t1时刻，Φ1作用下的势阱中已存有电荷包，有Φ1=10V， Φ2= Φ3=2V t2时刻，Φ2由低电位变成高电位，有Φ2=10V，Φ1由10V逐渐减小，Φ3=2V保持不变，第一个势阱中的电荷包开始向第二个势阱中转移，此时驱动脉冲Φ2 Φ1 Φ3 t3时刻， Φ1=2V，Φ2=10V，Φ3=2V，第一个势阱中的电荷已完全转移到第二个势阱中，此时的驱动脉冲之间Φ2 Φ1= Φ3 电荷输出主要有电流输出和电压输出两种形式 输出二极管收集，形成反向电 流，通过负载电阻产生输 出电脉冲。该方法有较好 的线性，但是需要外接放 大器，构成大的电容。 由目标发射来的光学图像，经透镜聚焦后成像在CCD的像敏单元上； 在耗尽层中或距耗尽层为一定范围内的光生电子迅速被势阱收集，汇集到界面附近，形成电荷包，存储在像敏单元中。 电荷包的大小与光强和积分时间成正比。 电荷包在时钟脉冲作用下，由转移寄存器读出 例：三相二位沟道的CCD结构 时钟脉冲条数：3条，即三相 每3个MOS电容器为一位，6个MOS电容器即为二位。实际应用中，CCD的位数很多，如64位、256位等 五、CCD的类型 3、根据光敏象素的排列方式，CCD摄象器件分为线阵列和面阵列两大类。 线阵CCD（CCLID） 线阵CCD是单排结构，用于摄平面像时，需要相对物面进行垂直方向的扫描。 线阵CCD包括光敏区（摄像区）和移位寄存器（传输区）。每一光敏单元与移位寄存取之间有一个转移栅。 光电二极管阵列和CCD移位寄存器集成在一块半导体硅片上，分别由不同的脉冲驱动。 设衬底为P－Si，光电二极管阵列中各单元彼此被SiO2隔离开，排成一行，每个光电二极管即为一个象素。 Φp（行扫描电压）为高电平时，各光电二极管为反偏置，光生电子空穴对中的空穴被PN结的内电场推斥，通过衬底入地，而电子