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（1）霍尔电压UH与材料的性质有关。 一般来说，金属材料n较大，导致RH和KH变小，故不宜做霍尔元件。所以霍尔元件一般采用N型半导体材料。 （2）霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 　　根据式KH=1/nqd ，d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 (1)输入电阻Ri和输出电阻Ro 输入电阻指C、D控制电极间的电阻; 输出电阻指A 、B两侧霍尔元件电极间的电阻,可以在无磁场即B=0时,用欧姆表测量. (2) 额定控制电流Ic 给霍尔元件通以电流,能使霍尔元件在空气中产生10℃温升的电流值,称为额定控制电流Ic. (3)不等位电压U0 霍尔元件在额定控制电流作用下,若元件不加外磁场,输出的霍尔电压理想为零,但由于存在着电极的不对称、材料电阻率不均衡等因素，霍尔元件会输出电压。该电压称为不等位电压。 * 第６章　磁电式传感器 1、定义： 通过磁电作用将被测量（如振动、转速、扭矩）转换成电势信号。 2、优点: 不需要供电电源，电路简单，性能稳定，输出阻抗小。 Ｎ为线圈匝数，e为感应电势，φ为磁通。 ６.1 磁电感应式传感器 法拉第电磁感应定律：（当闭合导体在磁场中运动切割磁力线时，就会出现感应电动势。） １、磁电式传感器的工作原理 如果线圈是Ｎ匝，磁场强度是B，每匝线圈的平均长度l，当线圈垂直于磁场方向以速度v运动切割磁力线时，感应电动势为： 当线圈以速度w转动时，感应电动势为： S是每匝线圈的平均截面积 只要磁通量发生变化，就有感应电动势产生，产生感应电动势的方法很多，主要有： （1）线圈与磁场发生相对运动 （2）磁路中磁阻变化 （3）恒定磁场中线圈面积变化。 工作原理：齿轮安装在被测转轴上，与转轴一起旋转。当齿轮转动时，每转过一个齿，磁路的磁阻就变化一次，因而磁通量也变化一次，线圈中产生的感应电动势的变化频率等于齿轮数和转速的乘积。 特点：结构比较简单，但输出信号较小，当被测轴振动较大时，传感器输出波形失真较大。 1－永久磁铁 3－感应线圈 2－软铁 4－齿轮 A、开磁路变磁通式转速传感器 2、不同类型的磁电式传感器 （1）变磁通式磁电传感器 １—转轴 ２—内齿轮 ３—外齿轮 ４—线圈 ５—永久磁铁 B、闭磁路变磁通式转速传感器 工作原理：两齿轮齿数相等，转轴与被测轴相连，转轴以恒定角速度旋转时，两齿轮相对运动使磁路气隙发生变化，因而磁阻发生变化并使线圈的磁通量发生变化，在线圈中感应电动势的频率与转速成正比，用测频的方法可以测得转速 。 动圈式磁电传感器原理图 A.动圈式磁电传感器 2、恒定磁通式磁电传感器 工作原理：当壳体随被测物体一起振动时，由于弹性元件较软而运动部件质量相对较大，因而有较大惯性，来不及跟随振动体一起振动，振动能量几乎全部被弹性元件吸收，永久磁铁与线圈之间产生相对运动，线圈切割磁力线，从而产生感应电动势。 B.定圈式磁电传感器 霍尔传感器是利用导体或半导体材料的霍尔效应进行测量的一种传感器。它可以直接测量磁场及微位移量，也可以间接测量液位、压力等参数。目前霍尔传感器已从分立元件发展到了集成电路的阶段，正越来越受到人们的重视，应用日益广泛。 6.2 霍尔传感器 一、霍尔效应 在置于磁场的导体或半导体中通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的方向上会出现一个电势差，这种现象就是霍尔效应。 　　是由科学家爱德文·霍尔在1879年发现的。产生的电势差称为霍尔电压。利用霍尔效应制成的元件称为霍尔传感器。见图，半导体材料的长、宽、厚分别为l、ｂ和ｄ。在与ｘ轴相垂直的两个端面ｃ和ｄ上做两个金属电极，称为控制电极。在控制电极上外加一电压ｕ，材料中便形成一个沿ｘ方向流动的电流Ｉ，称为控制电流。 图 霍尔效应 设图中的材料是Ｎ型半导体，导电的载流子是电子。在ｚ轴方向的磁场作用下，电子将受到一个沿ｙ轴负方向力的作用，这个力就是洛仑兹力。洛仑兹力用Fｌ表示，大小为： FL=qvB 式中，q为载流子电荷；ｖ为载流子的运动速度；Ｂ为磁感应强度。 在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电荷的积累。这样，A、B两端面因电荷积累而建立了一个电场Ｅh，称为霍尔电场。该电场对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止电荷的继续积累。当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，这时有 qEh=qvB q为电子电量；v为载流子的运动速度：B为磁感应强度 霍尔电场的强度为 ：