王勇《固体物理基础》精品教学-第9-13讲201412.pptxVIP

第五章 半导体;5.1 半导体材料;5.1 半导体材料;5.1 半导体材料;5.1 半导体材料;5.1 半导体材料;5.1 半导体材料;5.2 半导体的导电机制;以半导体 CdS为例; 当光照 h? ΔEg 时，可发生本征吸收， 形成本征光电导。;; 当外电场足够强时，共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中，使半导体击穿; 杂质（impurity）半导体; n 型半导体 ;Si 原子浓度～1022 cm?3 则P 原子浓度～1018 cm?3;2. p型半导体;空 带;Si原子浓度～1022 cm? 3 则B 原子浓度～1018 cm? 3;3. n型化合物半导体; 杂质补偿作用; 以上形成的施主或受主，称为类氢杂质能级 特点：束缚能很小，对于产生电子和空穴特别有效，施主或受主的能级非常接近导带或价带，称浅能级杂质;一般情况下深能级杂质大多为多重能级 —— 在Si中掺杂的Au原子为两重能级 —— 多重能级反映了杂质带电的情况; 深能级杂质和缺陷的作用;掺杂的要求; 假定与能级E对应的有Nc(E)个量子态（能态密度），则单位体积中导带的电子数目： 由于n和Nc(E)与半导体材料本身的能带结构及掺杂情况有关，因此只要知道了n 、 Nc(E)和温度T，就可以求出Ef。反过来，如果知道了Ef（即费米能级），由此可以确定各能级上的电子数 可以证明费米函数等于化学势，处于热平衡状态系统有相同的化学势，所以对一个处于热平衡的系统，各处费米能级相同 ; 对于费米子，一个量子态要么被电子占据，要么空着，能量为E的能级被占据的几率为f(E)，因此空着的几率为 ;5.3 费米函数与波耳兹曼函数;——导带中所有能级上电子的总密度等价于能量为Ec，态密度为Nc的一个能级。即把一个涉及许多能级的复杂的能带问题简化成了只有一个能级问题，即可以将导带理解为一个电子都集中于导带底Ec，密度为Nc的能级。因此Nc称为导带的有效状态密度。同理Nv称为价带的有效状态密度。;用两个能级代替导带和价带，大大简化各种分析 有效状态密度反映了导带或价带容纳电子或空穴的能力 有效状态密度是温度的3/2次方函数，温度愈高，N愈大 对T=300K，两者对硅分别为2.8×1019cm-3和1.04×1018cm-3 ，大大小于价电子密度 ; 如果将n与p相乘，则可以发现乘积pn与Ef无关，即 对特定的半导体材料，Ef与掺杂种类及掺杂浓度有关，因此由np与Ef无关可以推论此乘积pn与掺杂种类及掺杂浓度无关，即只与半导体材料本身能带结构有关 如果由于某种原因使得电子增加，则其中的空穴数目必然减少。 当掺杂浓度很大时，费米能级可能进入导带或价带，玻尔兹曼近似不再成立，因此电子空穴数目乘积不再与Ef无关。; 由p=n，我们得到 因为NvNc,所以对本征半导体来说，费米能级位于禁带中间稍偏下面的部位，但十分接近中间位置。不过如果某种半导体的Nc与Nv及mdn与mdp相差太大，则本征半导体的Ef偏离中心位置的距离可能较远。例如锑化铟的费米能级偏离禁带中心达0.2eV ; 将上面的Ef 代入n与p的表达式，我们可以得到 同样可得 本征载流子浓度随温度指数增加，而且pi=ni; 室温下硅的本征载流子浓度为 而有效状态密度分别为Nc=2.81×1019 cm-3和Nv=1.04×1018 cm-3，即导带及价带只有约10亿分之一的能级被电子或空穴填充。因此室温下本征半导体的导电能力一般是很差的。 ; 电子在外力作用下，同时受外力和半导体内部原子，电子相互作用。 引进有效质量概括内部势场作用，准经典近似：把布洛赫电子作为准经典粒子来处理。把波矢在一个很小范围内变化的布洛赫波叠加起来，形成一个“波包”。引入波包可以解决布洛赫电子在晶体中的位置问题。外场引起布洛赫电子状态的变化，通过引入有效质量和准动量，也可以简单的表示为经典力学形式。 ;5.3 有效质量;5.3 有效质量;5.3 有效质量;载流子分布规律;电子在导带各能级分布的几率;满带中空穴占据的几率 —— 能级不被电子占据的几率;—— 半导体中的导带能级和满带能级远离费米能量 —— 导带接近于空的，满带接近于充满 ;导带底附近的能量;导带中电子的浓度;令;导带电子浓度; 杂质激发 ;;温度很低时; P型半导体 ; 本征激发 ;硅的能带结构:导带 ;硅的能带结构: 价带 ;锗的能带结构:导带;GaAs的能带结构;;施主能级掺入价数较高的杂质原子；晶格缺陷；杂质-缺陷复合体。 受主能级掺入价数较的杂质原子；晶格缺陷；杂质-缺陷复合体。 激子能级：束缚的电子-空穴对 极化子能级：电子-晶格相互作用;表面态:表面原子状态与体内的不同 等电子杂质: