价值过万的半导体工艺流程(讲课用).pptVIP

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2018-05-13 发布于四川
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价值过万的半导体工艺流程(讲课用).ppt

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半导体工艺制程 wu.jiaming@ TEL: 62373 非常高兴和大家一起分享半导体的快乐登陆行业网站：中国信息产业部中国半导体行业协会（下设很多行业分会）中科院微电子所中科院半导体研究所中科院电子学研究所赛迪顾问 iSuppli 一. 半导体相关知识二. 半导体前工序介绍三. 半导体后工序介绍 1. 半导体相关知识 1. 集成时代的开始从晶体管的发明到大规模集成电路的广泛使用经过了六十年发展晶体管（1947年）—大规模集成电路（ULSI）大于1KK百万以上随着IC规模的增大，管芯面积也急速增大，迫使要采用大直径硅片，以提高产能。 84年以前使用1寸 2寸 90年4寸目前使用8英寸（200mm）、12英寸(300mm)转变。现在6寸也没有完全普及不同尺寸的硅片—从开始生产 —到生产高峰 — 再到逐步淘汰的生命周期 100mm 10年 1975年 1984年 20年 150mm 在美国已经淘汰 1983年 1997年 2003年 200mm 30年 1987年 2007年 2017年 300mm 40年 1995年 2035年？单晶通常采用两种制作方法：直拉法（Czochralski法）在真空腔室内，把多晶硅放在石英坩埚中加热到1500°用0.5cmX10cm的籽晶体，逆时针旋转提拉。可制成8寸、1-2M的晶棒。可提纯到 99.999999999 % 纯度区熔法此种方法可以生长极高纯度的硅单晶。但区熔生长的缺点是很难引入浓度均匀的掺杂。在使用硅材料之前用过锗做为衬底 Si Ge锗是四族元素硅14=2-8-4 ~ 锗32=2-8-18-4 ？选择硅作为半导体的主要材料主要依据以下四个理由： 1. 硅的丰裕度硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的25% 2. 硅有更高的溶化温度允许更宽的工艺容限硅熔点：1412°C 锗熔点：937°C 3. 更宽的工作温度范围 4. 二氧化硅的自然生成硅可以提纯到半导体制造所需要的足够高的纯度并且消耗更低的成本另一个原因是，硅可容易形成SiO2，而SiO2是高质量稳定的绝缘材料，可以在生产工艺中起到介质的作用硅是4 价元素价层价电子为4个掺入 V 族元素-- 磷P、砷As、锑Sb 价层中价电子为5个与硅原子结合多出1个价电子成为导电电子，带负电，形成N型硅：掺入 III族元素-- 硼B 、镓Ga 价层中价电子为3个而与硅原子结合后少一个价电子产生一个空穴，带负电，形成P型硅： PN结：半导体（硅）的导电类型和费米能力 4. 半导体趋势集成电路的设计和制造技术的快速发展，导致也促进了半导体生产制造新设备和新工艺的不断引入。每隔 18到24个月，半导体产业就引进新的制造技术。硅片制造技术的改变受到用户需求的驱使。用户要求更快、更可靠和更低成本的芯片。要达到这些要求，芯片制造商需要在一个硅片上缩小管芯尺寸、提高芯片速度、减少功耗。最大限度地提高芯片性能提高芯片可靠性追求降低芯片成本特征尺寸的过去与将来的技术节