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可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 利用半导体表面的电场效应进行工作，也称为表面场效应器件。 由于栅极与源极、漏极均无电接触，又称为绝缘栅场效应管。 分N沟道和P沟道两类。 每一类又分增强型和耗尽型两种。 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 2.转移特性曲线—VGS对ID的控制特性 六、场效应管使用注意事项 P衬底接低电位，N衬底接高电位；特殊电路中，源极与衬底相连。 通常FET的源极与漏极可以互换，其V-I特性没有明显变化，但有些产品出厂时已将源极与衬底相连，此时不能源极与漏极互换。 JFET的栅极电压不能接反，可开路状态下保存；MOSFET各电极短路保存。 焊接时，电烙铁需有外接地线，获断电后焊接。 4.5 各种放大器件电路性能比较 反相电压放大器 共射极（CE）电路 共源极（CS）电路 电压跟随器 共集电极（CC）电路 共漏极（CD）电路 电流跟随器 共基极（CB）电路 共栅极（CG）电路 本章小结 4.1.3, 4.3.3 4.4.4, 4.5.1 当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。 当VDS增加到使VGD?VT时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。 1.漏极输出特性曲线 4.3 MOS场效应管 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 转移特性曲线的斜率 gm 的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 其量纲为mA/V，称gm为跨导。 gm=?ID/?VGS?Q （mS) ID=f(VGS)?VDS=常数 4.3 MOS场效应管 式中ID0是VGS=2VT时的iD 3. 参数 MOSFET的参数与JFET基本相同 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 四、N沟道耗尽型MOSFET 4.3 MOS场效应管 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 这种N沟道耗尽型MOS场效应管可以在正或负的栅极电压下工作，而且基本上无栅流，这是耗尽型MOS管的一重要特点 MOS场效应管电路符号 五、各种场效应管的比较（P173-175) 各种场效应管的符号和特性曲线 类型 符号和极性 转移特性 输出特性 u GS O I DSS i D U P u GS O I DSS i D U P － i － u DS O u G S ＝0 V ＋1 V D ＋2 V ＋3 V u G S ＝ U P ＝＋4 V u DS O u G S ＝0 V －1 V i D －2 V －3 V u G S ＝ U P ＝－4 V u DS O u G S ＝5 V i D 3 V u G S ＝ U T ＝＋2 V 4 V u GS i D O U T G S D + － i D － + G S D + － i D － + G S D + － i D － + B JFET P 沟道 JFET N 沟道 增强型 N MOS u GS O i D U P I DSS i D O U T u GS u GS O I DSS i D U P u DS O u G S ＝0 V i D －2 V u G S ＝ U P ＝－4 V ＋2 V －i D －5 V u G S ＝ U T ＝－3 V O － u DS －4 V u G S ＝ －6 V － i D －2 V u G S ＝ U P ＝＋4 V O － u DS ＋2 V u G S ＝ 0 V G S D + － i D B + － G S D + － i D － + B G S D + － i D B － + 耗尽型 N MOS 增强型 P MOS 耗尽型 P MOS 续表 4.3 MOS场效应管 4.4 场效应管放大电路 ? 直流偏置电路 ? 静态工作点 ? FET小信号模型 ? 动态指标分析 ? 三种基本放大电路的性能比较 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. 直流偏置电路 4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自偏压电路 （2）