半导体物理学 半导体中载流子的统计分布.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 半导体物理学 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓流3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子分布3.6 简并半导体3.7补充材料：电子占据杂质能级的概率 热平衡状态 载流子：电子、空穴 在一定温度下，载流子的产生和载流子的复合建立起一动态平衡，这时的载流子称为热平衡载流子。 半导体的热平衡状态受温度影响，某一特定温度对应某一特定的热平衡状态。 半导体的导电性受温度影响剧烈。 目标：电子和空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中能量间隔内有多少个量子态。 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为的量子态被电子占据的几率是多少。 将两者相乘后除以体积就得到区间的电子浓度，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度。 状态密度 kx，ky，kz在空间取值是均匀分布的，k空间每个允许的 k值所占体积为 ，一个点体积 ，单位体积点数 若一个点对应一个态，那么电子的允许能量状态密度 由于每个k值可容纳自旋方向相反的两个电子（一点两个态），所以考虑自旋k空间电子的量子态密度是2V。电子的允许量子态密度 E→E＋dE之间的电子状态数，即二个等能面之间的电子状态数。 等能面为球面 球面E→E＋dE之间的体积为球壳体积 态密度 导带底附近状态密度（理想情况） 态密度 状态密度 Si、Ge在导带底附近的E(k)~k关系为 则导带底（附近）状态密度为 第3章 半导体中载流子的统计分布 3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓度3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子分布3.6 简并半导体3.7补充材料：电子占据杂质能级的概率 费米能级 根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵循费米统计律 对于能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率 为 称为电子的费米分布函数 空穴的费米分布函数？ 费米分布函数 称为费米能级或费米能量 温度 导电类型 杂质含量 能量零点的选取 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 费米分布函数 当 时 若 ，则 若 ，则 在热力学温度为0度时，费米能级 可看成量子态是否被电子占据的一个界限 当 时 若 ，则 若 ，则 若 ，则 费米能级是量子态基本上被 电子占据或基本上是空的一 个标志 Fermi分布函数 热平衡条件下半导体中电子按能量大小服从一定的统计分布规律。能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率为 据上式，能量比EF高5k0T的量子态被电子占据的几率仅为0.7%；而能量比EF低5k0T的量子态被电子占据的几率高达99.3%。 如果温度不很高，那么EF ±5k0T的范围就很小，这样费米能级 EF就成为量子态是否被电子占据的分界线： 1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的； 2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的； 3) 能量等于费米能级的量子态被电子占据的几率是50%。 费米分布函数中，若E-EFk0T，则分母中的1可以忽略，此时 上式就是电子的玻耳兹曼分布函数。 同理，当EF-Ek0T时，上式转化为下面的空穴玻耳兹曼分布 半导体中常见的是费米能级EF位于禁带之中，并且满足 Ec-EFk0T或EF-Evk0T的条件。 因此对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，即起作用的载流子都在能带极值附近。 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体；而将服从费米统计分布规律的半导体称为简并半导体。 课堂练习3：填空 课堂练习3：答案 3.2.3半导体中导带电子和价带空穴浓度 导带底附近能量E→E+dE区间有dZ(E)=gc(E)dE个量子态，而电子占据能量为E的量子态几率为f(E)，对非简并半导体，该能量区间单位体积内的电子数即电子浓度n0为 对上式从导