Chap01 半导体衬底.pptVIP

位错的运动机制 攀移—位错线延伸或收缩 滑移—在不沿位错线的其他方向上移动，是剪切应 力作用的结果 吸杂 本征吸杂——利用圆片内的氧淀积 非本质吸杂——在圆片的背面引入较大的应变或损伤区，如机械研磨、喷砂或加一层多晶硅。 化学吸杂——由金属杂质与含氯气氛的化学反应来消除杂质缺陷 硅片标示定位边 硅片定位槽和激光刻印 倒角 硅片边缘抛光修整，获得光滑的周边 有圆弧型和梯形两种 * * 第一章 半导体衬底 1.1 晶体结构 硅和锗都是Ⅳ族元素，形成如图所示的金刚石结构。 GaAs闪锌矿结构 Si？、Ge、GaAs、GaN、SiGe、 丰裕度（25％）、高熔点（1412）、宽工作温度范围、氧化硅的自然形成 1.2 晶体缺陷 缺陷 零维：点缺陷（空位、填隙原子） 一维：线缺陷（位错） 二维：面缺陷（晶界、堆垛层错） 三维：体缺陷（杂质淀积） 为了很好地实现先进的IC功能，半导体要求有近乎完美的晶体结构 晶体缺陷是在重复排列的晶胞结构中出现的任何中断 点缺陷：空位缺陷、填隙原子 (A)?? 空位，(B)自填隙，(C)替位杂质，(D)刃型位错，(E)位错环 简单的零维、一维半导体缺陷 Frenkel缺陷 本征缺陷：空位和自填隙原子，空位浓度 ，硅N0＝5.02×1022cm-3， Ea～2.6eV， Tr，1/1044,10000C： 1/1010 Si填隙原子的激活能 ～4.5eV 非本征缺陷：杂质原子处在填隙位置或晶格位置——填隙型，替位型 位错 一列额外的原子被插入到另外两列原子之间 刃型位错—存在一个额外的原子面，其一端形成一个 刀刃，终止于晶体中 位错环—额外的原子面完全包含在晶体中 位错是应力存在的标志，常由点缺陷团聚在一起形成 位错的产生：应力诱导、高浓度的替位型杂质、晶体 的物理损伤 面缺陷 层错—额外的原子面，原子的规则排列在两个方向上 中断，在第三个方向上保持。 终止于晶体的边缘或位错线 体缺陷 在三个方向上都失去了排列的规则性，如淀积 淀积驱动力： 在有源区(即晶体管所在的位置)内不希望有二维和三维的缺陷。 在非有源区域的缺陷能够吸引杂质聚集，因而是有好处的。 消除杂质有害影响的方法，通常称为“吸杂”(Gettering)。 吸杂是晶体中的杂质和缺陷扩散并被俘获在吸杂位置的过程 1.3 半导体晶体生长 硅片直径： 现在 300mm 直径 规模经济学 每块芯片的加工处理时间 设备生产效率 硅片边缘的芯片减少，成品率 单块芯片处理过程中，设备的重复利用率 12” 8” 6” 5” 4” 3” 20世纪50年代 多晶硅原料制备 半导体级（电子级）硅SGS： 高纯度(99．999999999％)的多晶硅(Polysilicon) 第一步、制备冶金级Si（98％） 将二氧化硅与焦碳、煤及木屑等混合，在石墨电弧炉中于加热将氧化物分解还原成硅。 第二步、纯化 SiC(s)＋SiO2(s) Si(l)＋SiO(g)＋CO(g) 1500~2000 西门子工艺 盐酸化(Hydrochlorination)处理 Si(s)+3HCl(g)→ SiHCl3(g)+H2(g) 蒸馏(Distillation)提纯 分解(Decomposition) SiHCl3(g)+2 H2(g) 2Si(s)+6HCl(g) 另外著名的还有以四氯化硅(SiCl4)于流床反应炉中分解析出颗粒状高纯度硅 纯化 半导体级硅1420℃以上的温度下融化，再小心控制液态一固态凝固过程，而长出单一结晶体。 (1)直拉法，柴氏长晶法(Czochralski Method)，将多晶硅在石英坩埚中加热融化，再以籽晶插入液面、旋转、上引长出单晶棒。约占硅单晶市场的82％ 。 (2)区熔法(Floating Zone Technique)，将一多晶硅棒通过环带状加热器，以产生局部融化现象，再控制凝固过程而生成单晶棒。 硅单晶生长方法 直拉法单晶生长 直拉法单晶生长系统原理图和照片 直拉法 采用电阻式石墨加热器或射频源进行加热 炉子必须在惰性氩气气氛下操作 温度控制 硅籽晶由钨丝（99．7％）悬挂。钨丝及晶棒以2-20rpm旋转且以0.3-10mm/min速率缓慢上升，坩埚缓慢上升 晶棒直径是晶体生长工艺过程中第一优先控制的参数。 氧和杂质分凝，分凝系数k=Cs/Cl 直拉法单晶生长程序 多晶硅及掺杂质融化 长颈子及晶冠/肩部 长晶棒主体及收尾 直拉生长法中，按时间序列显示的晶锭从熔料中拉出的情况 区熔法单晶生长 区熔法单晶生长系统原理图 生长大