第五章 电动势传感器1.pptVIP

第五章 电动势传感器 被测量 感应电动势E 一、磁电式传感器 1.工作原理 根据法拉第电磁感应定律，线圈在磁场中运动切割磁力线，线圈内产生感应电动势E。 磁电式传感器的应用 磁电式传感器的应用 二、霍尔传感器 1.工作原理 当把一块半导体薄片垂直放在磁感应强度为B的磁场中，沿着垂直磁场的方向通以电流I，就会在薄片的另一侧面产生电动势UH，这种现象称为霍尔效应。半导体称为霍尔元件，UH称为霍尔电势。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 2.霍尔元件的结构和基本电路 3.霍尔元件的误差与补偿 （1）不等位电势 当霍尔元件通以电流I时，若磁场B＝0，理论上UH ＝0。这时测得的电势称为U0。产生原因： (2)温度误差及补偿 霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，当齿轮的空挡对准霍尔元件时，输出为低电平。 霍尔转速传感器在汽车防抱死装置（ABS）中的应用 若汽车在刹车时车轮被抱死，将产生危险。用霍尔转速传感器来检测车轮的转动状态有助于控制刹车力的大小。 霍尔高斯计（特斯拉计）的使用 霍尔元件 霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 霍尔式接近开关用于转速测量演示 开关型霍尔IC 三、压电传感器 主要内容： 1.压电效应（石英和压电陶瓷） 2.压电元件的等效电路 3.信号调解电路 4.应用 1.压电效应 1）正压电效应 晶体（电介质）受到一定方向的机械外力作用时，其内部产生极化现象（类似于铁磁体的磁化现象），晶体的两个表面上产生符号相反的电荷。当外力去掉后，又重新恢复不带电状态的现象。当作用力方向改变时，电荷极性也随着改变。 2)逆压电效应 在晶体（电介质）极化方向上施加外部电场，晶体（电介质）产生伸缩机械形变。当外电场消失，则晶体（电介质）的机械形变也消失。 2.石英晶体压电效应分析 1）石英晶体的压电效应分析 3）电荷大小分析 a）在X轴方向上施加外力Fx时 X轴表面产生的电荷量 石英晶体振荡器（晶振） 石英晶体在振荡电路中工作时，压电效应与逆压电效应交替作用，从而产生稳定的振荡输出频率。 压电式动态力传感器在体育动态测量中的应用 高分子压电材料的应用 b)当X轴方向上加压力Fx0时（纵向压电效应） 在X轴的正方向出现正电 c)当X轴方向上加拉力Fx0时（纵向压电效应） 在X轴的正方向出现负电 在Y轴方向上加外力Fy时（横向压电效应） 在Z轴方向上加外力Fz时（无压电效应） 由于正负离子位置保持不变， ，所以不产生任何方向上的压电效应。 当Fy0时（拉力），效果如图b，与Fx0时候的情况类似； 当Fy0时（压力），效果如图c，与Fx0时候的情况类似； d11——压电系数，石英晶体 l、b——石英晶片的长度和宽度。 b) 同理在Y轴方向上加外力Fy时 X轴方向上表面产生的电荷 3.压电陶瓷材料的压电效应分析 压电陶瓷是属于铁电体一类物质，是人工制造的多晶体材料。具有类似铁磁体材料磁畴结构的电畴结构－即电畴特性。 1）电畴特性 是指材料分子自发形成分子团。 具有一定的极化方向，从而存在一定的电场，但是分子团的杂乱无章无规则排列，在无外加电场的作用下，呈中性。 2）极化过程 直流电场E 剩余极化强度 剩余伸长 电场作用下的伸长 (a)极化处理前 (b)极化处理中 (c)极化处理后 在电场的作用下，电畴分子团有规则排列（趋于外电场方向），从而使材料得到极化，图b所示。外电场去除后，其内部残存剩余极化强度图c所示。 压电陶瓷经过极化处理之后就具有一定的压电效应。 3）压电效应分析 ①在未受外力作用下 整个压电片如图 － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 自由电荷 束缚电荷 电极 电极 极化方向 陶瓷片内束缚电荷与电极上吸附的自由电荷示意图 因为残余极性强度产生正负束缚电荷，并且吸附了外界自由电荷起到屏蔽而抵消片内极化强度对外界的作用。 ②在外加与极化方向平行的压力F时 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 极化方向 正压电效应示意图 F － ＋ 压电片将产生压缩形变，片内的正、负束缚电荷之间的距离变小，极化强度也变小。因此，原来吸附在电极上的自由电荷，有一部分被释放，而出现放电荷现象。当压力撤消后，陶瓷片恢复原状，片内的正、负电荷之间的距离变大，极化强度也变大，因此电极上又吸附一部分自由电荷而出现充电现象。 ③逆压电效