5.磁电式传感器.pptVIP

问题1，磁电式传感器定义及分类 问题2，简述磁电感应式传感器工作原理 问题3， 何谓霍尔效应、霍尔电势 问题4，简述霍尔电势的形成过程 问题1，影响霍尔电势的因素有哪些 问题2，霍尔元件由哪几部分构成？ 问题3，何谓额定激励电流、不等位电势、热阻 问题1，简述霍尔元件不等位电势补偿的工作原理 问题2，简述霍尔元件分流电阻法温度补偿的工作原理（了解） * * 磁电式传感器是：通过磁电作用将被测量(如振动、位移、转速等)转换成电信号的一种传感器。 磁电式传感器有： ◆磁电感应式传感器利用导体和磁场发生相对运动产生感应电动势； ◆霍尔式传感器是载流半导体在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电动势。 磁电感应式传感器 霍尔式传感器 根据电磁感应定律，磁电感应式传感器线圈两端的感应电动势正比于线圈所包围的磁链相对于时间的变化率，即 式中 W — 线圈匝数； Φ — 线圈所包围的磁通量。 若线圈相对磁场运动为速度v或角转度ω时，则式(5－1)可改为 式中 ι—每匝线圈的平均长度： B—线圈所在磁场的磁感应强度 S—每匝线圈的平均截面积。 在传感器中，当结构参数确定后，即B、W、S均为定值，那么感应电动势e与线圈相对磁场的运动速度(v或ω)成正比。 或 一块长为ι、宽为b、厚为d的半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场(磁场方向垂直于薄片)中，如图5－20所示。当半导体有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH。这种现象称为霍尔效应。由霍尔效应产生的相应的电势就称为霍尔电势。 图中薄片为N型半导体，在其左右两端通以控制电流I，半导体中的载流子将沿着与电流相反的方向运动。由于外磁场B的作用，使电子受到洛仑兹力FL作用而发生偏转。结果半导体的后端面上电子有所积累，前端面缺少电子，在前后端面间形成电场。 电场产生电场力FE阻止电子继续偏转。当FE与FL相等时，电子积累达到动态平衡。这时，在半导体前后两端面之间(即垂直于电流和磁场方向)建立电场，称为霍尔电场EH，相应的电势就称为霍尔电势UH。（EH＝UH/b） 式中：RH＝－1/ne，称为霍尔系数，它由载流材料的物理性质所决定。 K H＝RH/d，称为灵敏度系数，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小。 如果磁场与薄片法线有ɑ夹角，那么 霍尔元件是由霍尔片、四极引线和壳体组成。 霍尔片的长度方向两端面上焊有两根引线(图中a、b线)，称为控制电流端引线，通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极。 另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有两根霍尔输出端引线(图中c、d线)，通常用绿色导线,其焊接处称为霍尔电极。 额定激励电流是指霍尔元件温升10℃所施加的控制电流值。通常用IH表示。 不等位电势是指当霍尔元件通以控制电流 I（I≠0）而不加外磁场（B＝0）时，它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在（UH ＝ U0 ≠0）。 热阻表示在霍尔电极开路情况下，在霍尔元件上输入1mW的电功率时产生的温升，单位为0C／m W。 由于不等位电势U0与不等位电阻r0是一致的，可用分析电阻的方法来进行补偿。 如图5－23，其中A、B为控制电极，C、D为霍尔电极，极间分布电阻用R1、R2、R3、R4表示。 理想情况下，R1=R2=R3=R4，即可取得U0＝0(或r0＝0)。 实际上，若存在零位电势U0，则说明此四个电阻不等。将其视为电桥的四个臂，即电桥不平衡。 为使其平衡可在阻值较大的臂上并联电阻(如图(a)所示)或在两个臂上同时并联电阻(如图(b)、(c)所示)。显然图(c)调整比较方便。 霍尔元件能够测量哪些物理参数？霍尔元件的不等位电势的概念是什么？温度补偿的方法有哪些？ 霍尔传感器用于电磁测量、压力、加速度、振动等。 当霍尔元件的激励电流为I时, 若元件所处位置磁感应强度为零, 则它的霍尔电势应该为零, 但实际不为零。 这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。 霍尔元件是采用半导体材料制成的, 其参数都有较大的温度系数。当温度变化时, 霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数发生变化, 而产生了温度误差。为减小霍尔元件的温度误差, 除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外, 还可采用恒流源供电可使霍尔电势稳定。 分流电阻法适用于