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第3章 位错
例:环绕在SiC 中的螺型位错在气相中生长的晶体。出现螺旋
SiC
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长大台阶,它提供原子附着的有利位置。
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完整晶体经受弯曲后,
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将会通过在晶体内产生
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一定数量的刃位错,以
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补偿由于弯曲造成的出
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现矢径不同的表面上的
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尺度差异。
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PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 炣
位错的观察
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早期对位错的观察的例子:
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氟化锂表面浸蚀出的位
氟化锂表面浸蚀出的位 KCl 中的位错
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KCl 晶体是透明的,用杂质
错露头的浸蚀坑 KCl 晶体是透明的,用杂质
错露头的浸蚀坑
辍饰”位错以便可以见到它
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(白色)。位错形成网络)
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方解石
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石蜡
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金刚砂
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