在规格中ddr官方最高速度为ddr400.docVIP

业界正式存贮器规格都是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定，DDR及DDR2，在DDR 官方最高速度DDR 400，而DDR 400后的速度DDR 2接捧，但由于DDR的制程DDR的速度已DDR 550，但JEDEC已DDR 2为未来主流系统存贮器，为未来高速系统汇排流作好准备，而且更得到Intel、AMD、VIA、nVidia、SiS、Samsung、Hynix、Elpida、Infineone等半 虽然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2DDR2界面240Pins比DDR的184PinDDR的2.5v更低，只有1.8v而在同DDR低一半的功耗，DDR2存DDR的推 不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技SDRAM存Mhz只1 Bit的1 Bit Prefetch。SDRAM 100Mhz的100Mbps。DDR技 DDR与SDRAM的分SDRAM只能于充DDR却把技术提高至在充电及放电时都能存取资料，故此每Mhz有DDR会比SDRAM在同一100Mhz的DDR200Mbps存取速度，由于每一Mhz都要有二次的DDR每一Mhz2Bit，2Bit Prefetch，而DDR1Mhz，所得的效果是SDRAM的 而DDR 2则是承继DDR并作出改良，同DDR 2却改良了I/O Buffer部份，以往存I/O Buffer的DDR2的I/O BufferDDR 2存Mhz传送4Bit的I/O Buffer，比DDR每2Bit多一倍，故此在同一存DDR 2的存DDR速度快一倍，4Bit Prefetch。DDR 2未DDR强，因为每提高1 Mhz DRAM的SDRAM的四倍。DDR 2的Clock Frequency，而不是DRAM Core Frequency，故此DDR 2 533的266Mhz。 为DDR2 的速度可以如此高呢？这术进数号运时钟这术On-Die Termination＂和“Off-Chip Driver Calibration＂，当还术DDR2 有更大的4-bit 预强还迟时间On-Die Termination 或者ODT ，意味着Mount Termination Register(装载终)，已经从转DRAM 芯片上面。这样过传输径从进号处终线统设计简单  ?? Off-Chip Driver Calibration 或者OCD ，是一些I/O驱动电过调电压Pull-up/Pull-down 电通过DQ-DQS 畸变进号过overshoot和undershoot，还过I/O 驱动电压验进号质DDR2采用的新技术 ??? 除了以上所说区别DDR2还项术们OCD、ODT和Post CAS。 ??? OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓线驱动调DDR II通过OCD号DDR II通过调pull-up）/下拉（pull-down）的电两电压使用OCD通过减DQ-DQS的倾来号过电压来号质 ??? ODT：ODT是内终结电们DDR SDRAM的主板上面为数线终号终结电实际内组对终结电样终结电决数线号终结电则数线号较终结电则数线号会终结电内组还会响号质DDR2可以根据自已的特点内终结电这样证号DDR2不但可以降低主板成本，还号质这DDR不能比拟 ??? Post CAS：它是为DDR II内设Post CAS操作中，CAS信号读写/够RAS信号个时钟CAS命令可以在附加延迟Additive Latency）后面保持有效。原来tRCD（RAS到CAS和延迟AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进设由于CAS信号RAS信号个时钟ACT和CAS信号远会产冲 DDR2与DDR的区别 ??? 1、延迟问题 ??? 从频DDR2的实际频DDR的两这DDR2内拥两标DDR内4BIT预读换话说虽DDR2和DDR一样时钟时进数传输DDR2拥两DDR的预读统数说样100MHz频DDR的实际频为200MHzDDR2则达400MHz。 ??? 这样现个问题频DDR和DDR2内内时举来说DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟带宽实际DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽们3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频200MHz，而DDR2-400的核心工作频100MHz，也就是说DDR2-400迟DDR400。 2、封装发热 ??? DDR2内术点实户们认为两DDR的传输发热况DDR2可以获频标DDR的400MHZ限制。 ??? DDR内TSOP芯片封装这装200MHz上，当频时过长脚会产电这会响稳频难这DDR的核心频难275MHZ的原因。而DDR2内FBGA封装广应TSOP封装FBGA封装