焊点imc对3d ic封装可靠度的影响研究-research on the influence of imc on the reliability of 3d ic package.docx

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2018-05-28 发布于上海
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焊点imc对3d ic封装可靠度的影响研究-research on the influence of imc on the reliability of 3d ic package

摘要随着消费类电子产品日趋轻型、小型化，覆晶封装、芯片堆叠等3DIC封装以其电性能好及封装体积小等优势成为业界发展趋势。3DIC封装在使用中仍存在可靠度问题，因测试实验耗时久，本文利用有限单元方法验证其可靠度，主要针对3DIC芯片堆叠结构中存在的覆晶封装与IMC焊点两类结构，分别探讨其在循环温度负载下的力学行为。首先针对覆晶封装结构，探讨锡球外形如锡球高度、锡球接触角等参数对覆晶封装结构的可靠度影响。锡球接触角变小可提高锡球可靠度，而锡球高度降低会减少锡球寿命，两者影响同时存在。底胶对于覆晶封装结构而言是不可缺少的。进而探究3DIC芯片堆叠结构中存在的Cu/Sn、Cu/Ni/In两种不同IMC焊点，对封装体结构破坏模式的影响。以In层作为压力缓冲层来代替Cu/SnIMC结构做芯片堆叠的接合材料，可使芯片所受的最大应力下降而有效保护硅芯片。关键词：覆晶封装3DIC封装锡球可靠度IMC焊点破坏模式AbstractWithconsumerelectronicsproductsarebecomingmorelightweightandminiaturization,3DICpackaging,suchasflip-chippackageandchipstacking,becomesthedevelopingtrendofelectronicpackageindustry,havingadvantagesofexcellentelectricalpropertiesandasmallvolumepackage,etc.3DICpackagestillexistsreliabilityissuesinuse.Duetotestexperimentaltime-consuming,thisarticleusesthefiniteelementmethodtoverifyitsreliability.Thispaperisfocusedontwotypesofstructureinthe3DICchipstackpackage,includingflipchippackageandIMCsolderjointsstructure,andinvestigatesthemechanicalbehaviorundercyclictemperatureload,respectively.First,inflipchippackage,toexplorethereliabilityeffectofsolderballshapeparameters,suchassolderballheight,contactangle,etc.ThesmallerSolderballcontactanglecanimprovethereliabilityofsolderballs,whilesolderballheightreductionwillreducethelifeofthesolderball,andbothaboveeffectsexist.Underfillisindispensableforflipchippackage.Further,in3DICchipstackstructure,toinquirytheimpactoftwodifferentIMCjoints,bothCu/SnandCu/Ni/In,onthefailuremodeofpackagestructure.Indium-layerisusedforthebondingmaterialasastressbufferlayer,insteadoftheCu/SnIMCstructure,sothatdecreasethemaximumstressofsilicondieandcanprotectthesiliconchipeffectively.Keywords：Flipchippackage3DICpackageSolderballreliabilityIMCjointsFailuremode目录第一章绪论............................................................................................................................11.1研究背景及动机..............................................................................................................11.1.1研究背景.......................................