imoin 2o 3：mo透明导电薄膜及其在硅基薄膜太阳能电池应用分析-imo in 2o3 mo transparent conductive film and its application in silicon-based thin film solar cells.docx

第一章绪论§1-1IMO透明导电薄膜顾名思义，透明导电(TCO)膜需要满足如下两个基本条件：1在可见光区范围内具有不低于80%的透过率。2其电阻率低于1×10-3?cm。某些金属如Au,Ag,Pt,Cu,Rh,Pd,A1,Cr[1]等在很薄的情况下可以透过可见光，因而在一定时期内被当做透明导电薄膜来研究。但是金属薄膜有着难以克服的缺点，所以后来人们将研究的目光投向了更具潜力的金属氧化物透明导电薄膜。可制备透明导电薄膜的金属氧化物材料其本征态的禁带宽度都会大于3eV，因而在可见光范围内是透明的。而且这些金属氧化物薄膜在常温下就会失去部分氧导致其化学失配并在薄膜内留下氧空位。这些氧空位可以提供电子作为自由载流子导电。所以某些本征的金属氧化物薄膜如ZnO、SnO2、In2O3等在常温下既透明又具有一定的电导率，是制备透明导电薄膜的优质材料。为了提高这些氧化物薄膜的电学性能，研究人员在制备薄膜的过程中同时掺入特定的杂质，极大地提高了它们的电导率，最终使它们满足条件服务人类。表1.1TCO应用Table1.1TCOapplications材料用途性质SnO2：F寒带建筑物低放射玻璃电离波长≌2μm（增加红外光透过）Ag、TiN热带建筑物低放射玻璃电离波长≦1μm（反射红外光）SnO2：F太阳能电池前电极热稳定性、低成本SnO2：FECwindows化学稳定性，高透过率ITO平面显示器电极低电阻，低成模温度ITO、Ag除雾玻璃低成本，耐久性，低电阻SnO2烤箱玻璃高温稳定性、低成本、化学及机械耐久性SnO2除静电玻璃化学及机械耐久性SnO2触摸屏低成本，耐久性Ag、ITO电磁屏蔽低电阻至目前，研究最为广泛的透明导电薄膜如In2O3:Sn，SnO2:F和ZnO:Al等在可见光区的透过率已经高于90%，电阻率低于10-4?cm。各种透明导电薄膜的特性及用途可归纳如表1.1[2]。作为一种新型透明导电薄膜，IMO薄膜电阻率可低于10-4?cm同时其可见光透过率高于80%，它在近红外区高于80%的透过率是其它透明导电薄膜无法比拟的。因此引起了许多研究人员的兴趣。最初发现IMO薄膜的是孟扬等人[3]，他通过传统的反应热蒸发法在衬底温度约350℃的条件下生长这种高质量的透明导电薄膜。经XPS与XRD检测证明Mo6+替换In3+并没有改变In2O3的方铁锰矿结构，也没有在IMO薄膜中形成新的化合物。对于单个原子而言Mo能比其它的掺杂原子提供更多的载流子，所以Mo的掺杂浓度可以相应降低。所以IMO的霍尔迁移率、电导率、可见光透过率、红外反射率、等离子波长都更高。它的电阻率1.7×10-4?cm，对于波长高于4μm的红外光反射率高于80%，总的可见光透过率大于80%，等离子波长约2.2μm。在气候寒冷的地方IMO更适合作为节能窗口。同时IMO薄膜也适于光电方面的应用。随后孟扬等人又对IMO薄膜进行了深入的研究[4~6]。孟扬、章壮健等人在IMO薄膜载流子浓度测量及载流子迁移率方面也作了很多研究[7，8]，提出了复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响的理论[9]。孟扬，杨锡良等人研究了臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用，在不加热基底的情况下(30℃)，，制备约400nm厚的IMO薄膜的面电阻也小于1.3k?，相应的电阻率小于5.0×10-2?cm，在基底温度为100℃时，IMO薄膜的面电阻小于40?，相应的电阻率小于1.5×10-3?cm[10]。台湾国立成功大学的孫士堯[11]利用高密度等离子体蒸发制备掺钼氧化铟（IMO）薄膜，使用的靶材为In2O3掺MoO3氧化物靶，含MoO35%（重量比）。制备IMO薄膜时在Ar与O2混合气体中加入一定量的H2，发现加入H2后薄膜载流子迁移率会降低，这是加入H2后薄膜电阻率降低的主要原因。而且加入H2会使薄膜在可见光区的透过率降低。最终发现Mo+6/Mo+4–OH、Mo以及Mo–O氧化物都会影、响薄膜的电学及光学特性。人们预计在不久的未来IMO薄膜作为一种透明导电薄膜会应用与光电器件与通信器件等领域。国外的研究人员也对IMO薄膜进行了广泛的研究。YukiYoshida[12]等人利用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备这种薄膜，并且研究它的电学特性。靶材的钼的浓度范围是1%—4%（重量比）。薄膜不经任何处理，利用浓度为2%的靶材制备的薄膜迁移率最高，迁移率可达83cm2/Vs，载流子浓度为3.0×1020cm-3。利用温度相关的霍尔分析表明，声子散射是限制迁移率的主要因素。而四系数分析显示导带是抛物线型的。C.C.Kuo[13]研究氧流量对掺钼氧化铟（IMO）薄膜的微结构及特性的影响，该薄膜是利用离子束辅助沉积工艺生长在PES（polyethersulfone）衬底上的。他们研究了IMO薄膜的晶化质量，表