ga7as7团簇和gaasnn35团簇的理论研究-theoretical study on ga7an7 cluster and gaas nn 35 cluster.docxVIP

2008年硕士学位论文论文题目：Ga7As7团簇和GaAsn(n=3-5)团簇的理论研究授予学位学科（专业）：凝聚态物理研究方向：纳米团簇编号：摘要本文采用基于第一性原理的全势能线性糕模轨道分子动力学（FP-LMTOMD）方法研究了Ga7As7团簇以及其带电团簇的结构和掺杂Ga原子对As团簇As4，As5，As6结构和稳定性的影响。FP-LMTOMD方法是当前国际上计算和研究固体（包括固体表面及原子团簇）的几何结构和电子结构的最好方法之一，由于这种方法采用了全势能，所以计算的结构精密度比较高。在团簇科学中，半导体团簇越来与受到人们的重视。其中Si和Ge团簇的许多成果已经得到了公认。GaAs团簇在微电子和光电领域中有重要作用，但目前的研究主要针对原子数目比较少的GaAs团簇。运用全势能线性糕模轨道分子动力学方法，我们对Ga7As7团簇以及其带电团簇的结构进行了研究。我们发现在混合团簇中Ga原子容易处于帽原子位置，这是由Ga原子的价电子比As原子价电子少决定的，因为帽原子位置需要的键数较少。大多数结构的能隙都在1ev之上。我们所得到的所有14原子结构都是单重态的，这是因为这些原子都具有奇数个价电子，而且所有的价电子都在各自的分子轨道上形成电子对。加入电荷或者移走电荷，团簇的结构会产生严重的畸变，这个畸变取决于加入或者移走电荷的多少以及团簇的结构。此外我们还发现团簇GanAs10-n的HOMO-LUMO能隙完全取决于团簇的组成成分。与有偶数个Ga原子的团簇相比，拥有奇数个Ga原子的团簇，其HOMO-LUMO能隙也比较大。掺杂Ga原子对砷团簇As4，As5，As6稳定性的影响的研究表明，异原子Ga的取代，导致原来较短的As-As键变成较长的Ga-As键，使得原来的As团簇结构发生畸变，但是并没改变纯As团簇的基本几何结构。GaAs3团簇中最稳定的结构是由取代最稳定的基结构As4(a)得到的，GaAs4团簇中最稳定的结构也是由取代最稳定的基结构As5(a)得到的，但是GaAs5团簇中最稳定的结构是由取代次稳定的基结构As6(c)得到的。此外还发现，较稳定的结构，其能隙也比较大。关键词：砷化镓团簇，稳定结构，结合能AbstractInthispaper,wehaveinvestigatedthestructuresandstabilitiesofGa7As7clusteranditsionsindetailandtheeffectofgalliumheteroatomonthegeometricstructuresandstabilityofAsn(n=4,5,5,6)systematicallyusingfull-potentiallinear-muffin-tin-orbitalmolecular-dynamicsmethod(FP-LMTOMD)basedonthefirstprinciple.TheFP-LMTOMDmethodisoneofthebestmethodsforcalculatingthegeometricalandelectronicstructuresofcrystals(includingcrystalsurfacesandclusters)intheworldatthepresenttime.Thismethodgiveshighprecisiontothecalculationresultsbecauseoffullpotentialadopted.Thestudyofsemiconductorclustershasbecomemoreandmoreimportant.ManyresultsaboutSiclustersandGeclustersareacceptedwidely.GaAsclusterisanimportantmaterialinthemicroelectronicandphotoelectricfield.ButpresentstudiesdominantlyfocusontheGaAsclusters,thatis,thenumberofatomsisonlyafew(aboutten).ThestructuresandstabilitiesofGa7As7clusteranditsionshavebeenstudiedusingtheFP-LMTOMDmethod.Ourcalculatedresultssuggestthatthegalliumatomsinthemixedclusterareusuallyoncappedatomplaces,whichneedsfewerbonds.MostofthestructureshaveanEgbetweenthehighest-occu