薄膜体声波谐振器结构研究与仿真-research and simulation of thin film bulk acoustic wave resonator structure.docxVIP

摘要摘要无线终端的多功能化对频率器件提出了微型化、低功耗、高性能等要求。传统射频频率器件的解决方案主要是微波介质陶瓷和声表面波（SAW）技术。前者虽有较好的性能，但体积太大；后者体积虽小，但存在着工作频率不高、插入损耗较大、功率容量较低等缺点。然而，薄膜体声波谐振器（FBAR）综合了介质陶瓷性能优越和SAW体积较小的优势，同时又克服两者的缺点，其工作频率高、功率容量大、损耗低、体积小，是目前唯一有望集成的射频滤波器技术，正成为国内外研究的热点。本论文在系统论述FBAR及FBAR滤波器的基本原理基础上，比较和分析了三种主流的FBAR结构以及它们的工艺流程，并引出了一种新型结构的FBAR—多孔性基材的FBAR。接着，详细介绍了FBAR中所用的材料，作为FBAR的核心—压电薄膜，最适合的材料是AlN，其次是ZnO，PZT稍差。本论文从基本的声学、压电学、电磁学和弹性力学理论出发，推导出理想FBAR阻抗解析模型，并在此基础上进一步推导出了复合型FBAR的阻抗解析表达式，以及考虑机械损耗和电学损耗的阻抗解析表达式，并编写了Matlab程序模拟了FBAR的电学阻抗特性，详细分析了影响FBAR频率响应特性的各结构参数。研究表明，考虑电极厚度的实际复合FBAR的谐振频率低于相同压电薄膜厚度的理想FBAR，其原因是因为电极层也有声路效应，使得等效声路的长度增加，从而降低了谐振频率。并在此模型的基础上，用VB编写了FBAR的谐振频率预测软件，该软件对FBAR的设计工作将会有很好的指导意义。本论文详细论述了FBAR的BVD等效电路模型的原理及该模型下参数的提取方式，并用此模型构建了梯形FBAR滤波器的等效电路模型，再用ADS软件对该滤波器模型进行仿真。仿真发现随着滤波器级数的增加，其带外的衰减急剧增加，但同时带内损减也随之缓慢增大，因此，在设计FBAR滤波器时要折衷考虑滤波器的级数。关键词:薄膜体声波谐振器，滤波器，阻抗解析模型，BVD模型IIIABSTRACTABSTRACTWiththedevelopmentofwirelessterminal’smulti-functions,frequencycomponentsarerequiredtobesmallersize,low-powerdissipation,high-performance.ThetraditionalsolutionapproachesforRFcomponentsaremostlymicrowavedielectricceramicsandsurfaceacousticwavetechnologies.Theformerhavegoodperformance,buttoobiginsize,andthelatter’ssmallinsize,butit’swithsuchdrawbacksaslowworkfrequency,highpowerloss,andlowpowercapacity.AFilmBulkAcousticResonator(FBAR)hasexcellentpropertiesaswithdielectricceramicsresonatorsandthesmallsizeaswithsurfaceacousticwaveresonators.Meanwhile,itovercomesthedrawbacksoftheboth,andhasadvantagessuchashighworkfrequency,bigpowerhandlingcapacity,lowpowerloss,andsmallsize.ItistheonlyonepromisingforintegrationRFfiltertechnology,andthusbecomingahotresearchissue.TheprinciplesofaFBARandaFBAR–basedfilterweredescribedsystematicallyinthisdissertation,andthreemostlyusedFBARstructuresandtheirprocessingwerethenanalyzedbycomparison.AnovelstructuredFBARwithaporoussubstratewasintroduced.Meanwhile,thematerialsusedinaFBARandtheirpropertieswerealsodescribedindetails,inwhichpiezoelectricthinfilmsaremostimportant.Thesuitabilityinorderisfollowing,AlN,ZnO,andthenP