(集成光电子学导论)第九篇 章光子晶体波导及器件.pptVIP

三维光子晶体 金属球金刚石结构 二维光子晶体 及直角波导 思考：如何让光陷入一个光子晶体的点缺陷内，被存储起来 光子晶体激光器-最小的激光器 220nm 0.03mm3 光计算的逻辑门 光子晶体的制作 光子晶体结构的周期是相应光波的波长量级 可见光：亚微米；红外光：微米-毫米；微波：毫米-厘米 堆积或打孔：砖头，电子（离子）束 多光束干涉产生光强周期分布：排列微粒，全息光刻 微粒的自组织及相关的方法 微加工，微刻蚀技术 光子晶体的制作 自上而下：标准半导体工艺 自下而上：自组织 第九章 光子晶体波导及器件 光子晶体：光的半导体 思考：半导体是什么？尝试由半导体的基本特征思考光的半导体——光子晶体应该长什么样 9.1 半导体概念与分类 ? 何谓半导体 物体分类 导体 — 导电率为105s.cm-1，量级，如金属 绝缘体 — 导电率为10-22-10-14 s.cm-1量级，如：橡胶、云母、塑料等。 — 导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷化镓等。 半导体 ? 半导体特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 掺杂特性 微电子器件、 激光器 温度增加使导电率大为增加 温度特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光照特性 光敏器件 光电器件 主要半导体材料 ★ IV族半导体材料 ----硅Si，锗Ge ★ III-V族化合物半导体材料 ---GaAs, InP，GaAlAs，InGaAsP ★ II-VI族化合物半导体材料 ----GdTe, ZnTe, HgGdTe, ZnSeTe 一、本征半导体 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。 常用的本征半导体 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 价带 导带 禁带EG ? 能带结构 自由电子 价电子与空穴 费米能级Ef 本征半导体 二、杂质半导体 杂质半导体 掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高 掺入的三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体 掺入的五价元素如P、Se等， 形成N型半导体，也称电子型半导体 1. N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 价带 导带 + + + + + + + 施主能级 自由电子是多子 空穴是少子 杂质原子提供 由热激发形成 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子 在本征半导体中掺入的五价元素如P +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 N型半导体 + + + + + + + + N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 价带 导带 - - - - - - - 受主能级 自由电子是少子 空穴是多子 杂质原子提供 由热激发形成 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 2. P型半导体 在本征半导体中掺入的三价元素如B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 P型半导体 - - - - - - - - P型半导体 电子 空穴 导带 导带 价带 导带 价带 价带 施主 受主 本征半导体 P型半导体 N型半导体 半导体的能带结构 Ef Ef Ef 直接带隙与间接带隙半导体 k E 直接带隙材料，效率高 k E 间接带隙材料，效率低 能带---波矢图 跃迁选择定则: 跃迁的始末态应具有相同的波矢 主要半导体材料 ★ IV族半导体材料 ----硅Si，锗Ge ★ III-V族化合物半导体材料 ---GaAs, InP，GaAlAs，InGaAsP ★ II-VI族化合物半导体材料 ----GdTe, ZnTe, HgGdTe, ZnSeTe ----用于集成电路、光电检测 ---用于集成电路、发光器件、光电检测 ----用于可见光和远红外光电子器件 间接带隙 直接带隙 半导体的特征？ 周期性结构 完好的周期性排列不会导电：禁带 周期性被破坏才会导电：价带?导带 根据这些线索思考一下光子晶体（光的半导体）应该是什么样子的？ 光子晶体 周期性结构 光能在哪存在？ 如果周期性排列的结构只有在中间被打破了，猜测一下发生了什么？ 猜测一下这有什么应用？ 回忆半导体的能带结构?光子晶体？ 特定光学结构的光子晶体通常都只对某些波长存在禁带，即某些波段的光无法在晶体里传输。 最理想的是做出对全波段光都禁止的晶体 回忆生活中是否有类似光子晶体的应用？（对某些波段光禁止传播的结构） 眼镜片上镀了抗紫外膜，能够阻止紫外光透过。那么光