(集成光电子学导论)第十篇 章硅光子学.pptVIP

硅基单片集成：寻找特殊物理效应，用于替代常规效应 发光：不使用半导体受激辐射，而是用拉曼效应 调制：不是用电光效应，而是用载流子注入 探测：硅基锗探测器 硅光调制器 思考：光通信里的调制器通常基于铌酸锂的电光效应，而硅的电光系数很小，无法用电光来做调制器，能否用别的办法实现调制？ 思考：可以用于实现光调制器的集成光学结构有哪些？ 第十章 硅光子学 前沿：硅光子学 Nature Photonics, April 2007, Volume 1 No 4 pp. 187 Editorial: “The lure of silicon” “Silicon has changed the world through microelectronic technology. Now optical researchers are getting in on the silicon game too.” Intel的硅光子学研究 硅光子学 功能和性能: 自2004年以后不断有突破性进展出现 ? 低损耗的硅波导 (IMEC, NTT, IBM…) ? 紧凑的波长路由器 (IMEC…) ? 高Q值紧凑微共振腔 (U. Kyoto…) ? 10-40 Gb/s 硅探测器(LETI…) ? 10-40 Gb/s 硅调制器 (INTEL, Luxtera, Cornell…) ? 全硅拉曼激光器 (INTEL…) ? (速度可调) 慢光(slow light) (IBM…) ? 全光交换 + 波长转换 (NICT+IMEC, Cornell,U.Karlsruhe…) ? CMOS工艺兼容的集成 (Luxtera…) ? InP-SOI混合集成 (INTEL+UCSB) ? 在 SOI上集成InP激光器 (IMEC+LETI+INL) 提要 硅光子学介绍 为什么硅光子 基于硅的无源器件 在硅上（或者基于硅）的有源器件 光电混合集成（OEIC） 微电子互连的局限性 带宽低，电子瓶颈问题 随着线宽降低，泄露电流增大，功耗增加，散热困难 解决途径—— 集成光电子取代集成微电子 光电子集成的困境 目前可变度过大 不同的光学材料 ?? 不同的元件原理和类型 ?? 不同的工作波长范围 因此: 对不同应用没有通用制作技术 ?? 没有批量化生产的工艺平台 ?? 价格高昂 集成光电子技术要想取代集成微电子，找到一个统一、可批量化生产的工艺平台至关重要 硅 全光功能集成 光集成为何以硅集成为目标？ 优点： 折射率大，集成密度高 可直接使用微电子CMOS工艺 可同时集成光器件和微电子器件 价格低 缺点： 无源：偏振敏感（双折射），精度要求高 有源：间接带隙半导体，量子效率极低 大折射率差的作用 绝缘体上的硅SOI（Silicon-on-Insulator） 远程通讯波段透明（1310nm，1550nm） 高折射率差（紧凑）3.45/1.0/1.45 SOI光波导 脊形波导 nhigh nlow nlow IBM 硅波导传输损耗 硅基无源器件 基于硅的环形共振器 环半径：4微米 环与直波导间隙：0.18纳米 Q值：Q=25,000 基于硅微共振环的生物传感器 基于硅微共振环的应力传感器 阵列波导光栅 刻蚀衍射光栅 硅基有源器件 光发射 光探测 光调制 硅基有源无源集成方式 单片集成：所有有无源器件都使用硅来制作——理想（统一平台），但难！ 混合集成：有源用三五族材料做，然后想办法贴在硅芯片上——无奈的选择，过渡技术，成品率低，价格高 硅基混合集成（粘结技术）