陶瓷基板 飞利浦 欧司朗 国际大厂地战略合作伙伴.pdfVIP

LED 的发展趋势 陶瓷散熱基板與MPCB的比較 陶瓷基板工艺 陶瓷散热基板特性比较 Al2O3/AlN陶瓷散热基板特性 工艺流程 性能测试 产品应用 LED 的发展趋势 随着科技日新月异的发展，近年来全球环保的意 识增强，如何有效开发出节能省电的科技产品已成为 现今趋势。就LED产业而言，慢慢这几年内成为快速发 的新兴产业之一，在2010年的我国世博会中可看出LED 的技术更是发光异彩，从上游到下游的生产制造，每 一环节都是非常重要的角色。 陶瓷散热基板与MPCB的比较 陶瓷散热基板工艺 ◆ LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic) ◆ HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic) ◆ DBC (Direct Bonded Copper) ◆ DPC (Direct Plate Copper) 陶瓷散热基板工艺-LTCC LTCC 又称为低温共烧多层陶瓷基板，此技术须先 将无机的氧化铝粉与约30%～50%的玻璃材料加上有机黏结 剂，使其混合均匀成为泥状的浆料，接着利用刮刀把浆料刮 成片状，再经由一道干燥过程将片状浆料形成一片片薄薄的 生胚，然后依各层的设计钻导通孔，作为各层讯号的传递， LTCC内部线路则运用网版印刷技术，分别于生胚上做填孔及 印制线路，内外电极则可分别使用银、铜、金等金属，最后 将各层做叠层动作，放置于850～900℃的烧结炉中烧结成型。 LTCC生产流程图 陶瓷散热基板工艺-HTCC HTCC又称为高温共烧多层陶瓷，生产制造过程与 LTCC极为相似，主要的差异点在于HTCC的陶瓷粉末并无 加入玻璃材质，因此，HTCC的必须再高温1300～1600℃ 环境下干燥硬化成生胚，接着同样钻上导通孔，以网版 印刷技术填孔与印制线路，因其共烧温度较高，使得金 属导体材料的选择受限，其主要的材料为熔点较高但导 电性却较差的钨、钼、锰…等金属，最后再叠层烧结成 型。 陶瓷散热基板工艺-DBC DBC直接接合铜基板，将高绝缘性的AL2O3或ALN陶瓷 基板的单面或双面覆上铜金属后，经由高温1065～1085℃ 的环境加热，使铜金属因高温氧化、扩散与Al2O3材质产生 (Eutectic) 共晶熔体，使铜金与陶瓷基板黏合，形成陶 瓷复合金属基板，最后依据线路设计，以蚀刻方式备制线 路. DBC生产流程图 陶瓷散热基板工艺-DPC DPC亦称为直接镀铜基板，首先将陶瓷基板做 前处理清洁，利用薄膜专业制造技术－真空镀膜方 式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层，接着以 黄光微影之光阻被覆曝光、显影、蚀刻、去膜工艺 完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加 线路的厚度，待光阻移除后即完成金属化线路制作 。 我司陶瓷基板就是采用DPC工艺 DPC生产流程图 陶瓷散热基板特性比较 ◆热传导率 ◆操作环境温度 ◆工艺能力 陶瓷散热基板特性比较-热传导率 LTCC为降低其烧结温度而添加了30%～50%的玻璃材料，使其热传导率 降至2～3W/mK左右； HTCC因其普遍共烧温度略低于纯Al2O3基板之烧结温度，而使其因材料 密度较低使得热传导系数低Al2O3基板约在16～17W/mK之间。 陶瓷散热基板特性比较-操作环境温度 HTCC其工艺温度约在1300～1600℃之间 ，LTCC/DBC的工 艺温度在850～1000℃之间 ，HTCC与LTCC在工艺后对必须叠层 后再烧结成型，使得各层会有收缩比例问题， DBC对工艺温度 精准度要求十分严苛，必须于温度极度稳定的1065～1085℃温 度范围下，才能使铜层熔炼为共晶熔体，与陶瓷基板紧密结 合，若生产工艺的温度不够稳定，势必会造成良率偏低的现象。 而在工艺温度与裕度的考量，DPC的工艺温度仅需250～350℃ 左右的温度即可完成散热基板的制作，完全避免了高温对于材 料所造成的破坏或尺寸变异的现象，也排除了制造成本费用高 的问题。 陶瓷散热基板特性比较-工艺能力 LTCC与HTCC均是采用厚膜印刷技术完成线路制作，厚膜印 刷本身即受限于网版张力问题，一般而言，其线路表面较为粗 糙，且容易造成有对位不精准与累进公差过大等现象。此外， 多层陶瓷叠压烧结工艺，还有收缩比例的问题需要考量，这使 得其工艺解