半导体的均匀掺杂.pdfVIP

Ch2-4 半導體的均勻摻雜 1 導電性 本節只討論載子濃度分佈均勻的半導體，故無 擴散電流問題 矽晶體的電阻係數頗大，其導電性甚差而難實 用於電子電路中 為了提高導電性，必須讓傳導電子或電洞的數 量能夠增多 最簡單有效的方法，就是摻加雜質於半導體中 但是加入雜質會破壞晶格結構，為使晶格結構之 改變不明顯，加入之雜質不可過量 ，且摻雜劑之 4A 性質必須接近於 族元素 2 摻雜(doping) ( 半導體中添加一定比例雜質稱為摻雜 doping) 摻雜後之半導體即為摻雜半導體(doped semiconductor) ，或稱外質(extrinsic)半導體 未摻雜質之純質半導體又稱本質半導體(intrinsic semiconductor) 摻雜方式有兩種 使傳導電子變多，材料變成N-type半導體 ，摻雜 5A 少許 族元素 讓電洞增加，半導體變成P-type半導體 ，摻雜少許 3A族元素 3 本質半導體 熱平衡載子濃度 共價鍵吸收足夠能量後，將發生破裂而產生電子− 電洞對 溫度愈高，就愈多的共價鍵破裂 在熱平衡下，本質半導體中具有相同數目的傳導 電子與電洞，此濃度特稱為本質載子濃度(intrinsic n carrier concentration) ，以i表示 n = n = p i n 值是T與E 的函數 i G 4 本質半導體 A是一常數，與材料種類有關，如表 以矽為例，27°C時，ni = 1.45*1010載子/cm3 ，矽的 原子密度約為5*1022原子/cm3. 在1012個原子中，才有一個原子共價鍵斷裂 ，故純 矽之導電性甚差 5 質量作用定律 在無電流與定溫之情形下，半導體材料中任何 一處的『傳導電子濃度與電洞濃度之乘積』為 一定值 與位置無關 此定律適用所有的半導體材料，無關是否摻雜。 6 電子電洞對之產生與復合 價電子吸收足夠能量後，變成傳導電子 有高能傳導電子較不穩定，經歷一段時間，會以 光或熱等形式來釋放能量，繼而掉回價電帶中 與電洞重新結合，破裂之共價鍵可恢復，如此過 程稱為復合(recombination) 7 電子電洞對之產生與復合 以產生速率(generation rate)來表示電子電洞對之 增加率 復合速率(recombination rate)則來代表單位時間 內所消失的電子電洞對數目 8 電子電洞對之產生與復合 當溫度上升，共價鍵容易破裂 產生速率將大於復合速率 ，於是載子濃度會增加 若溫度下降 產生速率將會變小，載子濃度下降 由生至滅之期間為壽命，電子電洞對由產生至復 合消失的平均時長，稱平均壽命 ，又名生命週期 (life cycle) 9