实验名称： 半导体热电特性综合实验.pdfVIP

实 验 名 称 ： 半导体热电特性综合实验 姓 名 学 号 班 级 桌 号 教 室 综合楼 609  评 实验 日期  2006 年 月 日 节 分 一、实验目的： 1.了解半导体热敏电阻、pn结电输运的微观机制。 2.测量半导体热敏电阻的电压­温度曲线；半导体p­n  结的电压­温度曲线； 3.了解半导体制冷电堆的制冷原理 4.学习用最小二乘法拟合热敏电阻的温度系数（热敏指数）和p­n结的禁带宽度。 5.了解计算机实时采集、应用EXCEL处理实验数据（自己提前学习）； 二、实验仪器  1 通讯线接口  2 温度显示窗口  3  电压显示窗口  4 制冷电流表  5 按键  6 测量线接口  7 温控线接口  8 指示灯  9 样品池  10 档位选择开关 注1. 正常开机后进入空闲状态，温度显示屏显示测量室的温度t (单位：℃)，电压显示屏显示 当前被测样品在该温度下的电压降U(单位：mV)，被测样品的电阻值可用R＝U/I求出，I是被测样 品通过的恒定电流，实验用仪器已经调整在20µA。 注2.  档位选择开关选为“V” 时电压窗口显示样品 （硅热敏电阻）两端电压值；选为“△V” 时电压窗口显示样品 （pn  结）两端电压值与基准电压的差值，基准电压已经调整为380mV，比如： 窗口显示90 mV，则样品（pn  结）两端实际电压值是470 mV。） 石 家庄铁道 学院物理实验室 第 1页 共 5页 半导体热电特性研究实验报告 三、实验原理  1 半导体热敏电阻的热电特性 半导体材料的热电特性非常显著，因此，常用作温度传感器的材料。一般而言，在较大 的温度范围内，半导体都具有负的电阻温度系数。半导体的导电机制比较复杂，起电输运作 用的载流子为电子或空穴。载流子的浓度受温度的影响很大，因此半导体的电阻率受温度影 响也很大。随着温度的升高，热激发的载流子数量增加，导致电阻率减小，因此呈现负的温 度系数的关系。但是实际应用的半导体，往往通过搀杂工艺来提高半导体的性质，这些杂质 原子的激发， 同样对半导体的电输运性能产生很大的影响。 同时在半导体中还存在晶格散射、 电离杂质散射等多种散射机制存在，因此半导体具有非常复杂的电阻温度关系，往往不能用 一些简单的函数概括，但在某些温度区间，其电阻温度关系可以用经验公式来概括，如本实 验中用的半导体热敏电阻，它的阻值与温度关系近似满足下式：  1 1  B ( - )  T T  R = R e 0  （1） 0  式中R 为T 时的电阻（初值）， R是温度为T时的电阻，T为绝对温度，B为温度系数 （热敏 0 0 指数）。B在工作温度范围内并不是一个严格的常数，但在一定的温度范围内，它的变化不 大（我们实验所选测量范围就是在这个范围内）。将上式变形得到：  1  lnR = B + C  （2）