化学修饰电极的制备及其在流动注射不可逆双安培法中的应用研讨.pdfVIP

化学修饰电极的制备及其在流动注射不可逆 双安培法中的应用研究 摘 要 论文从方法、原理及性能等方面对化学修饰电极的设计、表征及催化 效能进行了论述。并将其应用于构建流动注射不可逆双安培分析，对化学 修饰电极中的自组装修饰、电聚合修饰及纳米粒子的接附修饰三类电极的 设计进行了探讨，并对其在电化学催化氧化、电流增敏等应用机理进行了 理论研究。其具体研究内容如下： 1．利用S．Au键的强相互作用，在裸金电极上制备了L一半胱氨酸自组装 将自组装膜修饰电极用于流动注射不可逆双安培(FI．IB)体系的构建，利用阿 还原构建双安培检测新体系。氧化峰峰电流与阿魏酸浓度在5．0x10。7～ 8．O×10‘5 C+ 00 50，在1．O×104～1．O×1mol／L范围内呈线性关系，其线性回归方程为 106 10～mol／L，并应用于阿魏酸钠盐注射 i(nA)=5．6xC+300，检出限为1．2x 液中阿魏酸的测定，结果满意。 并对 其结构进行谱学与电化学表征。探讨了其对Rev的电催化氧化机理。氧化 峰峰电流与白藜芦醇浓度在1．OxlO巧～2．OxlO‘7mol／L范围内呈线性关系， mol／L范围 107 C一420，方法检出限为 内呈线性关系，其线性回归方程为i(nA)=1．65x 8．O×10一mol／L。该方法具有较高的选择性和灵敏度、样品处理方法简单快 速。测定了虎杖及葡萄酒中Rev的含量，结果满意。 合，以形成导电性聚合物修饰膜(P．Lry)，探讨了铅笔芯修饰电极上的最佳 聚合条件，并对其进行微观显象表征。研究了药物盐酸异丙嗪在该修饰电 极上的电化学行为。在pH6．8磷酸盐缓冲溶液(PBS)中，该氧化峰峰电流 检出限为8．5×10～mol／L(S／N=3)。对盐酸异丙嗪片剂测定结果满意。 并对其表面结构进行显微表征。研究了双嘧达莫(DPD)在该 ／GCE．CME)， 的影响。尝试提出MWCNTs对药物分析中的电催化氧化机理的推论。将包 mol／L SDS介质下．直接测定DPD的新方法。在O．05H2S04介质溶液中， 出限为8．0xlO～mol／L。该方法对双嘧达莫片剂测定结果满意。 关键词：不可逆双安培法化学修饰电极阿魏酸白藜芦醇盐酸异丙嗪 双嘧达莫测定 PREPARATIoNOFCHEMICAL MODIFIED AND ITS’APPLICATIoNINFLOW INJECTIoN．IRREVERSIBLE ABSTRACT The onthe and ofthe study methods，principlesperformanceaspects chemically modifiedelectrodeswhichcontain and are designing，characterizationcatalyticefficiency discussed．In this constructand th