第1章 光电检测技术中的基础知识PPT.ppt

* 第1章 光电检测技术中的基础知识 §1.1 辐射度学和光度学基本概念 §1.2 半导体基础知识 §1.3 基本定律 §1.4 光电探测器的噪声和特性参数 辐射度学的基本物理量 辐射通量Φe: 单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的辐射能量Q，又称辐射功率Pe，是辐射能的时间变化率。单位：瓦［Ｗ］ 定义式？ 辐射强度Ιe： 点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的辐射通量。单位W/Sr］ 辐射亮度Le ： 面辐射源单位投影面积定向发射的辐射强度。 单位：［W/m2．Sr］ 辐射出射度Ｍe ： 扩展辐射源单位辐射面所辐射的通量（也称辐射本领）。单位：［W/m2］ 辐射照度Ee： 单位受照面上接受的辐射通量。单位［W/m2］ 光度学的基本物理量 光通量Φv: 单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的光能量，又称光功率Pv，是光能的时间变化率。单位：流明［lm］ 发光强度Ιv： 点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的光通量。单位cd］ 光亮度Lv ： 辐射表面定向发射的光强度。单位：［cd/m2］ 光出射度Ｍv ： 面光源单位面积所辐射的光通量（也称发光本领）。单位：［lm/m2］ 光照度Ev： 投射在单位面积上的光通量。单位［lx］ 1、两者的相同点： ①光度量和辐射度量的定义、定义方程是一一对应的。 ②辐射度量和光度量都是波长的函数。 2、两者的不同点： ①符号不同：辐射度量下标为e，例如Qe，Φe，Ie，Me，Ee，光度量下标为v，Qv，Φv，Iv，Lv，Mv，Ev。 ②单位不同（略） ③研究范围不同，光度量只在可见光区（３８０　－　７８０nm)才有意义。 其它基本概念——见P5 1、点源 2、扩展源（朗伯源、余弦辐射体） 3、漫反射面（散射面） 4、定向辐射体（激光） 导体、半导体和绝缘体 半导体的特性 半导体的能带结构——见P8 本征半导体与杂质半导体 平衡和非平衡载流子 载流子的输运过程 半导体的光吸收效应 返 回 1、自然存在的各种物质，分为气体、液体、固体。 2、固体按导电能力可分为：导体、绝缘体和介于两者之间的半导体。 3、电阻率10-6 ~10-3欧姆?厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆?厘米以上——绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 1、半导体电阻温度系数一般是负的，而且对温度变化非常敏感。根据这一特性，可制成热电探测器件。 2、导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。（纯净Si在室温下电导率为5×10-6/(欧姆?厘米)。掺入硅原子数百万分之一的杂质时，电导率为2 /(欧姆?厘米) 3、半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。 1、本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。 2、在绝对零度时，几乎不导电。 3、在纯净的半导体中掺入一定的杂质，可以显著地控制半导体的导电性质。 4、掺入的杂质可以分为施主杂质和受主杂质。 5、施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。——见P10 6、受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半导体。 ——见P10 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度一定。这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。 半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，这种处于非热平衡状态下的载流子浓度，称为非平衡载流子浓度。 处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是平衡载流子浓度，比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。 2、平衡载流子浓度 3、非平衡载流子浓度 1、非平衡载流子 非平衡载流子的产生 光注入： 其它方法： 用光照使得半导体内部产生非平衡载流子。 当光子的能量大于半导体的禁带宽度时，光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子－空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子，价带比平衡时多出一部分空穴。 产生的非平衡电子浓度等于价带非平衡空穴浓度。？ ？ 光注入产生非平衡载流子，导致半导体电导率增加。 电注入、高能粒子辐照等。 扩散 漂移 复合 1、物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。 2、吸收包括：本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶体吸收 3、本征吸收——由于光子作用使电子由价带跃迁到导带 4、只有在入射光子能量大于材料的禁带宽度时，才能发生本征激发 ————见P12 1、绝对黑体的概念——见P14 2、基尔霍夫定律 3、谱朗克辐射公式 4、斯忒藩-玻耳兹曼定律 5、维恩位移定律 光电效应 1、光电效应的定义 光照射