2016新编南邮半导体器件物理(双语).docVIP

acceptor doping 受主杂质 forbidden energy band 禁带 allowed energy band 允带 Hall effect 霍尔效应 ambipolar diffusion coefficient 双极扩散系数 high injection 大注入 ambipolar mobility 双极迁移率 hole 空穴 ambipolar transport 双极输运 input characteristic curve 输入特征曲线 ambipolar transport equation 双极输运方程 insulator 绝缘体： atomic bond 原子键 intrinsic carrie 本征载流子 avalanche breakdown 雪崩击穿 intrinsic Fermi level 本征费米能级 body-centered cubic lattice 体心立方 ion implantation 离子注入 boundary conditions 边界条件 ionic bond 离子键 boundary conditions 边界条件 jane distribution 少子分布 built-in potential barrier 内建电势差/电场 junction capacitance 结电容/势垒电容 carrier drift 载流子漂移 lattic 晶格 carrier generation 载流子的产生 lattice scattering 晶格扩散 carrier recombination 载流子的复合 Law of conservation of mass 质量守恒定律 charge neutrality 电中性 law of mass action 质量作用定律 compensated semiconductor 补偿半导体 liner graded junction 线性缓变结 complete ionization 完全电离 Low level injection 小注入 conductivity 电导率 Maxwell-Boltzmann approximation 麦克斯韦-波尔兹曼近似 contrast effect 衬偏效应 metal 金属 covalent bond 共价键 metal-semiconductor contact 金属半导体接触 crystal 晶体 Miller indices 密勒指数 crystal impurity 晶体杂质 minority carrier diffusion length 少子扩散长度 crystal orientation 晶向 mobility ratio 迁移率 cutoff frequency 截止频率 Nonequilibrium carrier 非平衡载流子 Degenerate and Non degenerate Semiconductors 简并与非简并半导体 Ohmic contact 欧姆接触 density of states function 状态密度函数 one-sided junction 单边突变结 diamond lattice 金刚石晶格 onized impurity scattering 电离杂质散射 diffuse 扩散 on-uniform doping 非均匀参杂 diffusion capacitance 子扩散电容 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理 diffusion capacitance 扩散电容 photon 光子 donor doping 施主杂质 PN junction diode PN结二极管 drift 漂移 quanta 量子 drift current 漂移电流 recombination rate 复合 drift velocity 漂移速度 recombination rate 复合率 Einstein’s relation 爱因斯坦关系式 resistivity 电阻率 electron diffusion coefficient 电子扩散系数 rystal defect /imperfection 晶体缺陷 electron diffusion current 电子扩散电流 Schottky diode 肖特基二极管 electron effective mass 电子有效质量 semiconductor 半导体 Electronic source speed 电子源物速度 simple cubic