半导体器件工艺sio2的制备及检测.ppt

热生长氧化法氧化膜质量检测 热生长氧化膜的制备 在硅片表面制备SiO2 膜的方法很多， 如：热生长氧化法，热分解淀积法， 外延淀积法，阳极氧化法等 热氧化生长动力学 热氧化过程中，SiO2 薄膜的增厚通过一下步骤： 1)氧化剂从气相内部输运到气体氧化层界面 2）扩散穿过已经生成的氧化层，抵达SiO2 –Si界面 3）在界面处与Si发生氧化反应 4)生成的副产物扩散出氧化层，并随主气流转移 热生长氧化法的氧化机理 一、概念 二、几种氧化气氛 干氧 湿氧 水汽氧化 干氧氧化法 一、干氧氧化生长机理 二、反应式 Si+O2→SiO2? 慢 干氧氧化生长的二氧化硅膜具有干燥、致密等特点，和光致抗蚀剂接触好，光刻时不易产生浮胶现象， 但氧化膜生长速率慢。 水汽氧化 一、 反应式? ? Si+2H2O→SiO2+2H2? ? ? ? 快 过程：高温下，水汽和硅片表面的硅原子生成二氧化硅起始层，水分子再与二氧化硅表面反应生成硅烷醇（Si-OH），其反应式如下： H2O + （Si- O- Si）→2（Si-OH） 生成的硅烷醇再扩散进入二氧化硅层达到硅—二氧化硅界面后与硅原子反应，使二氧化硅层继续增厚。其反应式为： 2（Si-OH）+ Si-Si → 2（Si- O- Si）+ H2↑ 特点：氧化膜质量不高，稳定性差，特别对于磷扩散的掩蔽能力较差 二氧化硅膜的质量检测 膜的质量主要体现在膜的表面没有斑点、裂痕、白雾发花和针孔等缺陷。厚度达到规定指标且保持均匀。对膜中可动杂质离子，特别是钠离子的含量也必须是有明确的要求。 本次课主要从氧化膜的厚度测定和氧化膜的缺陷的检测两方面和大家一起学习学习。 一、氧化膜的厚度测定 在生产实践中，测量SiO2厚度的方法有很多，如果精度要求不高，可采用比色法、腐蚀法等。如果有一定精度要求，则可以采用双光干涉法和电容电压法。在某些研究分析领域，已经采用了精度极高的椭圆偏振光法。下面分别介绍一下几种常用的氧化膜厚度测量方法。 1、比色法 直接观察硅片氧化膜颜色，可以比较方便的估计出氧化膜的厚度。由于光干涉作用，不同厚度的二氧化硅膜表现出不同的颜色，对应关系如下表所示： 由上图可知，氧化膜的颜色随其厚度的增加而呈现周期性的变化。 对应同一颜色，可能有几种厚度，所以这个方法的误差较大。 不过，可将生长了二氧化硅的硅片在氢氟酸中进行腐蚀，观察其颜色变化，确定其厚度。 当厚度超度7500埃的时候，颜色的变化就不明显了。因此，此法只适用于氧化膜厚度在一微米以下的情况。 注意：表中所列的颜色，是照明光源与眼睛均垂直于硅片表面时所观察到的颜色。 2、干涉法 目前最常用的方法就是干涉法，其设备简单，测量方便，也比较准确。 在已经氧化过得硅片表面，用蜡或真空油脂保护一定的区域（如占硅片面积的1/2---1/3），然后放入氢氟酸中，将未保护的氧化膜腐蚀掉，最后用有机溶液（如甲苯、四氯化碳）将蜡或真空油脂除净，这是就出现了二氧化硅斜坡。 当已知波长的单色光束垂直照射在斜坡上面，如图所示，由于二氧化硅膜是透明的，所以入射光束将分别在二氧化硅表面和二氧化硅-硅界面处反射，这两部分的反射光将产生干涉，在显微镜下可以看到明暗相间的干涉条纹，并根据此公式得出二氧化硅膜的厚度： 3.椭圆偏振光法 此法是由激光器发出一定波长的激光束，经起偏器变成线性偏振光，并确定偏振方向，再经过1/4波长片，由于双折射现象，使其产生为相位相差90°的两部分光，它们的偏振方向相互垂直，所以变成椭圆偏振光。椭圆的形状由起偏器方位角决定。 椭圆偏振光以一定的角度入射到样品上，反射后偏振状态发生改变，一般认为椭圆偏振光，但是椭圆的方位和形状改变了。 用此式描述： 此法的光路总路： 在波长、入射角、 衬底等参数一定时， ●对于一定厚度的某种膜 ，启动起偏器，总可以找到一个方位角，使反射光变成线性偏振光。这是转动检偏器，当检偏器的方位角与反射线偏振光相互垂直的时，光束不能通过，出现消光现象。消光时， 这时的d和n也是P和A的函数，可以由已知的（P,A）-（d，n）关系图，根据已知