第9篇半导体二极管、三极管.ppt

发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流放大原理 EB正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB VCC RC VBB RB ＋ － ＋ 由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子通过基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以： IC IB 同样有: ? IC ? IB ? IC = ? ? IB 所以说三极管具有电流分配作用,也称之为电流放大作用。 IE =IC +IB IC= ? IB IB UBE 0 UCE ≥ 1V 死区电压 三极管的输入特性 发射结的伏安特性 IB = f (UBE ) UC E = 常数 9.4.3 三极管的特性曲线 IB =40μA IB =60μA UCE 0 IC IB增加 IB 减小 IB = 20μA IB = 常数 IC = f (UCE ) 2. 三极管的输出特性 iC的大小受iB控制， 同时，在IB保持不变的情况下， iC的数值随uCE的增大略有增大。 iC / mA uCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 60 μA 80 μA 饱和区 （2）截止区：IB≤0的区域，两结反 偏。严格说，IE=0,即IC≤ICBO 的区域，管子基本不导电。 （1）放大区：发射结正偏，集电极 反偏。特性曲线的平坦部分。 满足 有电流控制作用。 （3）饱和区：两结正偏，靠近纵轴 的区域。IB增加，IC不再增加， 不受IB的控制，IC只随UCE增加 而增加。 三极管的三种状态 1、放大状态： 2、截止状态： 3、饱和状态： 发射结正向导通； 集电结反向截止； IB与Ic成正比线性关系： 发射结截止； 集电结反向截止； IB=0、 发射结正向导通； 集电结正向导通； IB与Ic成不成正比线性关系： 例题1： 如测得某三极管正常放大时的三个极的电位值依次为：2.5V、1.8V、6.4V，则其对应的管脚极性依次为 ，该三极管为 型三极管，半导体材料为 。 解题思路： 判断管脚：放大区：B极电位居中，E极电位接近B极，C极电位远离B、E极。 判断类型：如C极电位最高，则是NPN型；如C极电位最低，则是PNP型。 判断材料： 为0.6～0.8V，是硅管；如为0.2～0.3V,是锗管。 NPN 硅 9.4.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反向击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! ? = IC IB 例题2： 已知某三极管的Ib=50±20μA ，Ic=20±18mA。则该三极管的β= ， 。 60μA 0 20μA 1.5 2.3 在输出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 1.5mA 40μA = 37.5 ? = IC IB = 2.3–1.5(mA) 60 –40(μA) = 40 设UCE=6V, IB由40μA加为60μA 。 IC / mA UCE /V IB =40μA 6 0 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 第9章 9.4 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO 半导体光电器件 半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来，使光和电互相转化的新型半导体器件。 一、 光电导器件 当半导体材料受到一定波长光线的照射时，电阻率明显减小，或说电