第六章 双极晶体管的开关特性.pptVIP

* 第六章 双极型晶体管的开关特性 内容 6.1 晶体管的开关作用 6.2 晶体管的开关过程和开关时间 6.3 开关晶体管的正向压降和饱和压降 6.1 晶体管的开关作用 1. 晶体管的三个状态及开关作用 2. 晶体管开关与二极管开关比较 3. 开关运用对晶体管的基本要求 4. 开关过程简介 1. 晶体管的工作状态及开关作用 线性区 放大区 饱和区 截止区 R T Q S 2. 晶体管开关与二极管开关比较 相似之处： (1)正向时(导通时)管子本身有压降。 (2)反向时(截止时)存在漏电流。 (3)存在开关时间 不同之处： (1)晶体管开关的输出波形与输入波形相位差180。而二极管开关是同相位的。前者可在集成电路中作倒相器。 (2)晶体管开关有电流及电压的放大作用，而二极管开关没有。 3. 开关运用对晶体管的基本要求 开态和关态特性好 饱和压降小，消耗功率小； 正向压降小，启动功率小； 反向漏电流小。 开关时间短 4. 开关过程简介 开关过程 延迟 上升 贮存 下降 开关时间 延迟时间td 上升时间tr 贮存时间ts 下降时间tf 开启时间ton 关闭时间toff 开关时间 6.2 晶体管的开关过程和开关时间 1.延迟过程和延迟时间 2.上升过程和上升时间 3. 电荷贮存效应和贮存时间 4. 下降过程和下降时间 5. 提高开关速度的措施 1.延迟过程和延迟时间 延迟过程：当晶体管从关态向开态转化时，输出端不能立即对输入脉冲作出响应，而产生延迟过程。定义延迟过程为从正向脉冲输入到集电极有输出电流的过程。 e结反偏 零偏 正偏（小） c结反偏 反偏（小） e结的电压在延迟期间的变化范围： －EB→VF c结的电压在延迟期间的变化范围： 延迟时间 2、上升过程和上升时间 1）上升过程中Ib1的作用 作用之一： 增加与qb等量的多子电荷，相当于对CDE充电 作用之二： 对CTE充电 作用之三： 对CTC充电 作用之四： 补充因复合二损失的多子，并向发射区注入少子，在放大区这部分电流为 2）tr表达式的推导 根据Ib1的作用 3）分析如何减小tr 6.2 晶体管的开关过程和开关时间 3、储存时间 1）超量储存电荷的形成 R T Q S 过驱动因子 Qbx peo pe(x) nbo nb(x) pco pc(x) n+ p n Qcx 过驱动 超量储 存电荷 ① ② 超量储存电荷的作 用就是在晶体管关 断过程中出现延迟 2）超量储存电荷的作用 3）基极电流的作用 基极电流作用： 抽取超量储存电荷，补充临街电荷以下的电荷的损失。 超量储存电荷消失的途径: 4 )储存时间τs 反向基极电流的抽取，自 身复合及补充临界存储电 荷以下的电荷，维持集电 极电流基本不变。 4、下降过程及下降时间 下降过程可以看作是上升过程的逆过程，-Ib2的作用与上升过程相反。 td tr ts tf 减小结面积，以减小结电容 减小Ib2， 增大Ib1 减小结面积，以减小结电容 减小基区宽度，更快建立梯度 增加基区少子寿命，加强基区输运，减小复合 增大Ib1 IB1不要太大，不要饱和太深 减小Wc 加大Ib2 减小tc 掺金 减小结面积，以减小结电容 减小基区宽度，更快建立梯度 增大Ib2 5、提高开关速度的措施： 1） Ebers-moll方程及一般形式Ebers-moll等效电路 6.3晶体管的正向（输入）压降和饱和压降 1、Ebers-moll模型 2、输入正向压降VBES 1、Ebers-moll模型 3、饱和压降VCES Ebers-moll 方程 Ebers-moll 等效电路 包括串联电阻的 Ebers-moll等效电路 2） 放大区的Ebers-moll等效电路 放大区的 Ebers-moll 等效电路 3） 截止区的Ebers-moll等效电路 截止区的 Ebers-moll 等效电路 4） 受端电流控制的Ebers-moll等效电路 2、输入正向压降VBES VBES是指晶体管开启并进入饱和区的最小输入端电压 3、饱和压降VCES VCES是指共射极电路中，晶体管处于饱和状态时C、E之间的电压降 4、影响VCES因素的分析 1）VBE-VBC的影响 VBE-VBC的大小受饱和深度的影响,即随着IB的增加，趋于稳定。 2）icrcs的影响 放大区 饱和区 临界饱和线 完全饱和区/深饱和区 部分饱和区/浅饱和区 *