第三章+集成电路基本工艺.doc

绪言： 对IC设计人员，不需要直接参与集成电路的工艺流程，了解工艺的每个细节，但了解IC制造工艺的基本原理和过程，对IC设计是大有帮助的。 IC基本制造工艺包括：基片外延生长、掩模制造、曝光、氧化、刻蚀、扩散、离子注入及金属层形成。 单晶硅材料的制备： 1) 粗硅制备: SiO2+2H2=Si+2H2O　　　99％ 经过提纯:　 99.999999% 2) 提拉法 提拉法的基本原理提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体. 晶锭的切片： 切成厚度约几百微米的薄片 晶淀 硅片 外延生长： 在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的(厚度、导电类型、电阻率等)、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。 方式：液态生长(LPE, liquid phase epitaxy), 气相外延生长，金属有机物气相外延生长，分子束外延生长。 气相外延： 氢(H2)气携带四氯化硅(SiCl4)或三氯氢硅(SiHCl3)、硅烷(SiH4)或二氯氢硅(SiH2Cl2)等进入置有硅衬底的反应室，在反应室进行高温化学反应，使含硅反应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底硅表面上外延生长。 氧化： 氧化层的作用：1. MOS管的绝缘栅材料—硅的一个独有特性是可以在其表面生成非常均匀的氧化层而几乎不在晶格中产生应力，从而允许栅氧化层的制造薄到只有几个原子层。2. 杂质扩散掩蔽层。3. 电路隔离介质或绝缘介质。 常用氧化工艺：干氧和湿氧 氧化工艺示意图 光刻： 目的：按照平面晶体管和集成电路的设计要求，在SiO2或金属蒸发层上面刻蚀出与掩模板完全对应的几何图形，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。 原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合性技术，它先采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复印在涂有光致抗蚀剂的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗蚀剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中，未受光照的部分光致抗蚀剂不发生变化，很容易被某些有机溶剂融解。然后利用光致抗蚀剂的保护作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，然后在SiO2层或金属蒸发层得到与掩模板相对应的图形。 掩模板： 用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600(800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高。称之为铬板，Cr mask。 一个光学掩膜通常是一块涂着特定图案铬薄层的石英玻璃片，一层掩膜对应一块IC的一个工艺层。 光刻胶： 又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。 光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，所得图形与掩模板图形相同，适合做金属连线等图形；而负胶却恰恰相反，经过曝光后，受到光照的部分变得不易溶解，经过显影后，所得图形与掩模板图形相反，适合做通孔等窗口结构。 正胶 负胶 光刻步骤： 光刻工艺流程示意图 涂胶：利用旋转法在SiO2片或金属蒸发层上，涂上一层粘附性好、厚度适当、均匀的光刻胶。 前烘：将硅片放入铅盒中，然后在红外灯下烘焙，促使胶膜内溶剂充分挥发掉，使胶膜干燥，增加胶膜与SiO2片或金属蒸发层之间的粘附性和提高胶膜的耐磨性，不沾污掩模板，只有干燥的光刻胶才能充分进行化学反应。 曝光：接触式曝光法，在专用的光刻机上，包括“定位”和“曝光”两部分。预热紫外光灯(高压水银灯)使光源稳定—将光刻掩模板安装在支架上，使有图形的玻璃面向下—把涂有光刻胶的Si片放在可微调的工作台上胶面朝上—在显微镜下仔细调节微动装置，使掩模板上的图形与硅片相对应的位置准确套合—顶紧Si片和掩模板—复查是否对准—曝光—取下片子。 显影：将未感光部分的光刻胶溶除，以获得腐蚀时所需要的、有抗蚀剂保护的图形。常用的显影液是丙酮。 坚模：显影时胶膜发生软化、膨胀，显影后必须进行坚固胶膜的工作。坚固后可以使胶膜与SiO2片或金属蒸发层之间粘贴得更牢，以增强胶膜本身的抗腐蚀能力。 腐蚀：选用适当的腐蚀液，将无光刻胶覆盖的氧化层或金属蒸发层腐蚀掉，而有光刻胶覆盖的区域保存下来。氢氟酸去除SiO2。 去胶：去除覆盖在硅片表面的保护胶膜，一般