tbfecoaao薄膜性能 微区热场及静态观测系统研究-study on thermal field and static observation system of tbfecao thin film performance micro - region.docx

摘要HAMR（热辅助磁存储）技术是未来磁记录领域发展的两大先进技术之一。这种 记录方式有可能真正克服超顺磁效应对磁记录面密度的限制，使磁记录面密度达到 4-5Tbit/in2，甚至更高。HAMR 技术中的介质研究、微区馈热技术及介质读写性能测 试系统是其实现实用化的关键技术和必备手段。本文围绕着单层非晶 TbFeCo 的性能 优化、亚纳米微区馈热技术及混合记录介质静态写入和磁畴观测系统三大方面进行了 系统的研究，得到了一些有创新意义的结论和成果。在实验上首先采用两步阳极氧化技术，在玻璃基底上成功制备出较高有序度的多 孔阳极氧化铝(AAO)模板。系统研究了氧化电压、氧化温度、电解液浓度、退火以及 扩孔等因素对氧化铝孔洞大小及有序度的影响。研究发现，氧化铝孔洞只能在一定的 氧化电压、温度范围内形成，氧化电压过高和过低均不利于氧化铝孔洞的形成，孔洞 大小随氧化电压的升高而增大，低温环境较易形成氧化铝孔洞。对于硫酸溶液而言， 在 0℃，18V 左右的范围内较易形成较高有序度的氧化铝孔洞。阳极氧化前经退火工 艺的处理能提高氧化铝孔洞的有序度，氧化后经过磷酸溶液的扩孔，有序度进一步提 高。其次，进一步研究了 AAO 底层对溅射沉积在其上的单层非晶 TbFeCo 薄膜的磁 性能、微观结构和磁化反转机制的影响。研究发现，TbFeCo 薄膜矫顽力（Hc）和剩 磁矩形比随氧化铝孔洞的增大而减小，而对饱