半导体物理学第3章上.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 态密度的概念 能带中能量 附近每单位能量间隔内的量子态数。 能带中能量为 无限小的能量间隔内有 个量子态，则状态密度 为 状态密度 Si、Ge在导带底附近的E(k)~k关系为 则导带底（附近）状态密度为 费米分布函数 称为费米能级或费米能量 温度 导电类型 杂质含量 能量零点的选取 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 费米分布函数 当 时 若 ，则 若 ，则 在热力学温度为0度时，费米能级 可看成量子态是否被电子占据的一个界限 当 时 若 ，则 若 ，则 若 ，则 费米能级是量子态基本上被 电子占据或基本上是空的一 个标志 当量子态数量远大于粒子数时候，就可以用Boltzmann分布代替Fermi分布以及Bose分布。 直观物理意义如下： 因为Fermi只允许一个费米子处于同一个态，Bose允许无穷多个处于一个态。在量子态数目远大于粒子数的时候，两个以上粒子处于同一个量子态的概率极小，这样子看不出Bose与Fermi的差别。 没有两个粒子处于同一个量子态，就叫做非简并。满足非简并条件的近独立粒子（液体就不属于近独立），就可以用Boltzmann分布来处理。 玻尔兹曼分布函数 导带中电子分布可用电子的玻尔兹曼分布函数描写（绝大多数电子分布在导带底）；价带中的空穴分布可用空穴的玻尔兹曼分布函数描写（绝大多数空穴分布在价带顶） 服从费米统计律的电子系统称为简并性系统；服从玻尔兹曼统计律的电子系统称为非简并性系统 费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别：前者受泡利不相容原理的限制 练习 结论:热平衡状态下的非简并半导体中，在一定的温度下，乘积 是一定的，如果电子浓度增大，空穴浓度就会减小；反之亦然 1、空穴占据费米能级的概率在各种温度下总是1/2。 （ ） 2、费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 （ ） 3、能量为E的一个量子态被一个空穴占据的概率为 （ ）。 4、为什么电子分布在导带底，空穴分布在价带顶？ * * 能量为E的等能面在k空间所围成的s个旋转椭球体积内的量子态数为 导带底Ec不在k＝0处，且上述方程共有s个(Si的s=6，Ge的s=4)，将上式变形 令 ，称mn*为导带底电子状态密度有效质量，则 同理，对近似球形等能面的价带顶附近，起作用的是极值相互重合的重空穴(mp)h 和轻空穴(mp)l两个能带，故价带顶附近状态密度 gv(E)为两个能带状态密度之和 其中 ，称为价带顶空穴状态密度有效质量。