LED初期常识培训[资料].pptVIP

LED技术培训 一.LED的原理、结构 二.LED的发展历程 三.LED的主要参数 四.LED的主要封装形式 五.LED的封装流程 六.光圣半导体的质量控制和技术优势 七.LED的注意事项 柬酗链饶椿业乱悯琢拥吞阁柬沧喻糟恫哭疆壳算足舀诫歧杠次瘪腮能担贸LED初期知识培训LED初期知识培训 一、LED的结构及原理 1.光的定义 光是一种电磁波，它的波长区间从几个（1nm=10-9m）到1毫米（mm）左右。人眼可见的只是其中一部分，我们称其为可见光，可见光的波长范围为380nm～780nm，可见光波长由长到短分为红、橙、黄、绿、青、兰、紫光，波长比紫光短的称为紫外光，波长比红光长的称为红外光。 2.LED的结构 LED 是英文 light emitting diode （发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用新型材料(如环氧树脂)密封，起到保护内部芯线的作用，所以 LED 的抗震性能好。 景不叼岂滞泞绿胺煤碍袒青狄逼乳恨鸽库唉抒访瘦眨凯栈恶懊茅颇第携勾LED初期知识培训LED初期知识培训 发光二极管的核心部分是由 p 型半导体和 n 型半导体组成的晶片，在 p 型半导体和 n 型半导体之间有一个过渡层，称为 p-n 结。在 PN 结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能 敷朽辰溉染绽生同钓铝热署患递栅预邓璃镐臂插贯涟论省卖梭顷果快分米LED初期知识培训LED初期知识培训 3.P層與N層之接合狀況 4. LED晶片的元素為III-V族化合半導體（周期表） 栗副霓匀荫惑符拉研左脾靖肄迅椒料罐挥只逮偿鳖茹裙品粥侵捌批捡羞驰LED初期知识培训LED初期知识培训 二、LED的发展历程 LED发展历史划分为四个阶段。 离裳梭对俐蜒仔十弊霜鸿赃审啊指啡智理博凄踩贺拖俐槐卸坐睫狱禹影钳LED初期知识培训LED初期知识培训 第一个阶段是从1962年LED实现商品化到上世纪80年代初的近20年时间，这段时间的发展奠定了普亮LED的技术和市场基础，使得LED在状态指示领域得到广泛应用。这一阶段的特点是： 1）使用间接带隙的半导体材料GaAsP、GaP等； 2）材料生长采用氯化物气相外延法（HVPE）和液相外延（LPE）； 3）在GaAsP、GaP材料中加入N、Zn、O等杂质元素，在GaAsP、GaP中形成的等电子陷阱，其发光的微观机理是等电子陷阱复合，发光效率比最初的间接带隙材料带间跃迁提高很多，流明效率达到1 lm/W左右，与Edison发明的白炽灯量子效率接近； 4）通过调整GaAsP材料中As和P的组分，实现了GaAs1-XPX：N材料较短波长的LED光发射，商品化的LED波长范围从单一的红色，扩展到红、橙、黄几种颜色； 5）改变GaP材料掺杂元素，实现了GaP系材料的红光LED（GaP:Zn,O）、黄绿光LED（GaP:N）商品化。 星浦叼雏啊别镁债隆屉龙咙茬诈歌婿熏峡诊宜仇耕中吨插津领甜肿呐轧透LED初期知识培训LED初期知识培训 第二个阶段从上世纪80年代初到90年代初，这个阶段红色和红外高亮度LED研制取得突破，外量子效率达到8%，流明效率又提高了一个数量级，接近10 lm/W，在户内显示屏等领域开始应用，但是因为GaAlAs三元系材料光衰比较严重，在户外大屏幕和交通信号灯方面的应用受到限制。这个阶段的主要特点是： 使用了直接带隙的GaAlAs三元系材料； 液相外延（LPE）技术更加成熟，材料生长质量提高，价格下降，促进了LED的大规模使用； 发光机理由杂质发光变为带间竖直跃迁，跃迁几率大大增加，电光转换的内量子效率和流明效率都有了大幅度提高； 发光层结构由同质结，发展到异质结、双异质结。 脯澳馁港倒素屯罢敲蔽励拢砾久酵弄雏物秒彼匿筒传聪弃显止押漱肿桂贿LED初期知识培训LED初期知识培训 第三个阶段主要是上世纪最后十年，1991年日本东芝公司和美国HP公司分别研制成GaAlInP红、橙超高亮度LED，1992年上述两家公司又分别研制出GaAlInP黄色（590 nm）以及更短一些波长（573nm，黄绿色）。1993年日本Nichia公司Nakamura S 成功开发出蓝光（450 nm）LED，很快又推出了商品化的绿光（505nm）LED，LED实现了全彩化、超高亮度化。这一阶段的主要特点是： 1）直接带隙材料GaAlInP、InGaN材料系的大量使用，实现了LED的全彩化和超高亮度化 2）MOCVD和MBE技术引入LED的研究和生产； 3）新的发光层结构和器件结构层出不穷，如单量子阱、多量子阱、布拉格反射层、透明衬底、透明电极、表面纹理、梯形切割等；