新化高级职业学校九十七学年度第二学期电机复习考的答案.docVIP

PAGE PAGE 1新化高級職業學校九十七學年度第二學期電機複習考答案電子學__________科__________班 學號__________姓名__________總 分一、單選題　(50題 每題2分 共100分)( ) 1. 如圖所示，其輸入為小訊號輸入，則電壓增益約為　(A)0　(B)　(C)　(D)50。　 解答 　A　 解析 　化戴維寧定理 ≒5∵ 電晶體飽和，則不放大( ) 2. 有一P通道JFET，若，，在時，為　(A)0　(B)1　(C)2　(D)3　。　 解答 　A　 解析 　( ) 3. h參數小訊號等效電路為　(A)輸入為諾頓電路，輸出為戴維寧電路　(B)輸入為戴維寧電路，輸出為諾頓電路　(C)輸入及輸出均為戴維寧電路　(D)輸入及輸出均為諾頓電路。　 解答 　B( ) 4. 下列金氧半場效電晶體元件之電路符號，何者不是N通道型式？。　 解答 　B( ) 5. 一增強型FET之，當時，，若時之為　(A)3　(B)2　(C)1　(D)0.5　mA。　 解答 　D　 解析 　(1)(2)當時，( ) 6. 如圖中的電晶體電路在主動作用區工作，測量到的電流約為(A)0.5　(B)1　(C)5　(D)10　mA。　 解答 　A　 解析 　（在主動作用區工作）≒( ) 7. 在共射極放大電路中，若提高VCC，且其他元件不變，則負載線的斜率會產生何種變化？　(A)增大　(B)減小　(C)不變　(D)先增大再減小。　 解答 　C　 解析 　負載線斜率m＝－。( ) 8. 下列敘述，何者錯誤？　(A)空乏型MOSFET本身結構中無通道　(B)空乏型MOSFET閘極可接正電壓或負電壓　(C)增強型P通道，若閘極接正電壓，則無法建立通道　(D)增強型MOSFET適用於VLSI中。　 解答 　A( ) 9. 下列有關雙極性接面電晶體結構與特性之敘述，何者錯誤？　(A)集極接合面大於射極接合面　(B)含雜質比例是射極多於集極　(C)崩潰電壓，集極接合面高於射極接合面　(D)PNP電晶體的射極內，電子為多數載子。　 解答 　D　 解析 　PNP電晶體的射極內，電洞為多數載子。( )10. 下列有關雙極性接面電晶體BJT特性之敘述，何者錯誤？　(A)BJT為電流控制元件　(B)NPN型BJT正常工作時，流通之多數載子為電子　(C)BJT用於線性放大時，基、射極應接逆偏，基、集極應接順偏　(D)不可以二個頭或尾對接之二極體，來代替BJT元件使用。　 解答 　C( )11. 如圖所示電路，，，，則其值為　(A)25　(B)50　(C)　(D)。　 解答 　C　 解析 　( )12. 2SK30為何種編號？　(A)NPN晶體　(B)PNP晶體　(C)N通道JFET　(D)P通道JFET。　 解答 　C　 解析 　2SJ××為P通道JFET，2SK××為N通道JFET。( )13. 若下圖的且，則應為　(A)1.82　(B)2.5　(C)3.5　(D)4.5　。　 解答 　C　 解析 　( )14. 某放大器在的負荷下，輸出為，則其輸出電壓為　(A)　(B)　(C)　(D) 。　 解答 　C　 解析 　(1) (2)V( )15. 真空管電壓錶檔是以600阻抗為0，因此刻度所代表之交流電壓有效值即為　(A)0　(B)0.707　(C)0.775　(D)1.096　V。　 解答 　C　 解析 　∵ ∴ ( )16. 下列有關場效電晶體之描述何者錯誤？　(A)N通道JFET之導電載子是電子　(B)FET之增益與頻帶寬乘積較雙極性電晶體BJT為高　(C)FET電路之高頻響應不佳　(D)CMOS電路之特點為其消耗功率小。　 解答 　B　 解析 　FET之頻寬增益乘積很小。( )17. 如圖所示，若以三用電表測量E，B，C對地的電壓可知VB＝4V，VC＝20V，VE＝3.3V，則下列有關此時電晶體狀態之選項，何者正確？　(A)電晶體工作於飽和區　(B)電晶體C，B間損壞　(C)電晶體E，B間損壞　(D)RC斷路。　 解答 　B　 解析 　VB與VE相差0.7V，顯示電晶體有順向導通，但VCC與VC電壓相同，表示集極接面可能損壞，導致集極無電流存在。( )18. 如圖所示，已知雙極性接面電晶體=120，VCE(sat)＝0.2V，VBE(act)＝V BE(sat)＝0.7V，齊納二極體之稽納崩潰電壓VZ＝5.6V，若Vi＝2V時，輸出電壓Vo約為多少？　(A)0.2　(B)2.8　(C)5.6　(D)9　V。　 解答 　C　 解析 　∵ IB