硅衬底上algangan异质结材料的生长研究-study on growth of al gan heterojunction material on silicon substrate.docxVIP

华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文II摘 要氮化镓（GaN）是近年来发展最为迅速的第三代半导体材料之一。由于 GaN 的化 学性质稳定，耐高温，直接带隙宽度大，高频大功率等特点，能够很好的弥补 Si 和 AsGa 等半导体材料的缺点，成为下一代半导体材料器件的主要应用材料，国内外研 究的热点。 AlGaN/GaN 基高电子迁移率晶体管（HEMT）是以 AlGaN/GaN 异质结为 基础的 GaN 微波功率器件,与传统的微波器件相比，HEMT 具有高跨导，高饱和电流 和高截止频率等优点，成为下一代通信行业中主要使用的微波器件。国内外已经对 GaN 材料进行了很多年的研究，并且达到了一定的商业化应用， 但是仍然存在很多问题需要解决。本文首先介绍了国内外 GaN 外延材料的研究现状 和应用前景，然后介绍了 GaN 晶体生长所采用的两步生长方案的每个步骤和生长过 程，最后简述了生长的 GaN 晶体中的缺陷类型和对 GaN 晶体的影响。在实验部分，本论文详细论述了 Si 衬底上生长 GaN 晶体所使用的不同缓冲层， 并且进行多次实验找到了使用不同缓冲层所生长 GaN 的窗口值，并且给出了所生长 样品的 XRD，AFM 和金相显微镜所测量的结果。对于 2 英寸的 Si 生长 GaN 我们并 且横向对比了各种缓冲层的优劣，最后发现使用渐变 AlGaN 缓冲层所生长的 GaN 外 延层晶体质量最好。最后我们研究了使用超晶格来生长 GaN 外延层，为下一步生长 大尺寸的 GaN 外延晶体研究开展了前期研究。在上一步实验基础上，我们生长了插入 AlN 阻挡层的 AlGaN/GaN 异质结，并且 针对 AlGaN 层的厚度和组分进行了优化，生长出了晶体质量和表面形貌达到国际水 平的 AlGaN/GaN 异质结，为下一步 HEMT 器件的制作打下了基础。关键字： 氮化镓 高电子迁移率晶体管 缓冲层 AlGaN/GaN 异质结IIIIABSTRACTGalliμm nitride (GaN) is the fastest grown third generation of semiconductor materials in recent years. Because of the chemical properties high temperature, direct band gap is wide, high-frequency high-power GaN stability, it able to make good such as semiconductor materials, Si and AsGa. Now GaN is the next generation semiconductor material devices mainly used materials research focus at home and abroad. AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMT) is a GaN-based microwave power devices based on AlGaN/GaN. Compared with the conventional MESFET, HEMT has the outstanding performances of high trans-conductance, high output current density and high cutoff frequency. So it will become Next-generation communications industry mainly used in microwave devices.GaN materials at home and abroad have already conducted many years of research and become Start Commercial applications. Btu there are many problems to be solved now. This paper introduces the domestic and international research on materials for GaN and application prospects, and then introduced the two-step growth of GaN crystal growth. Finally we relate defect type in the GaN crystal a