《常用半导体器件》ppt课件.ppt

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《常用半导体器件》ppt课件

第1章 常用半导体器件;1.1 二极管 1.2 二极管的应用 1.3 特殊二极管 1.4 二极管的简易测试 ; 1.1 二极管 1.1.1 半导体基本知识 所谓半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。半导体具有光敏性(导电能力随光线照射强度的增大而增强)、热敏性(导电能力随温度的升高而增强)、掺杂特性(在纯净半导体中掺入微量的杂质元素,则其导电能力大大增强)。半导体理论证实,在半导体中存在两种能够导电的带电粒子:带负电的自由电子(简称电子)和带正电的空穴。它们在外电场的作用下都有定向移动的效应,运载电荷形成电流,称为载流子,如图1.1所示。;图1.1 半导体的两种载流子; 纯净的不含杂质的半导体称为本征半导体。在本征半导中掺入不同杂质能形成两种杂质半导体,即: N型半导体(又称电子型半导体),其内部自由电子是???数载流子,空穴是少数载流子。如在硅单晶体中掺入微量磷元素,可得到N型硅。 P型半导体(又称空穴型半导体),其内部空穴数量多于自由电子数量,即空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。如在硅单晶体中掺入微量硼元素,可得到P型硅。 ; 如果通过专门技术把P型半导体和N型半导体结合起来,在它们的交界处就会形成一个特殊的薄层,称为PN结。PN结对来自两个方向的电流呈现不同的性质,在外加电压足够大时,电流只能从P区流向N区,反方向是不能导通的,即PN结具有单向导电性。; 1.1.2 二极管简介 半导体二极管,实际上是由一个PN结加上电极引线与外壳制成的。由P区引出的电极称为阳极或正极,由N区引出的电极称为阴极或负极。因PN结具有单向导电性,所以二极管也具有单向导电性。如图1.2所示为二极管的外形、内部结构示意和符号。 ;图1.2 二极管的外形、内部结构示意和符号 ; 二极管按所用半导体材料可分为硅(Si)二极管和锗(Ge)二极管,不同材料的二极管的导电性能存在差异。按用途分类除了普通二极管外,还有稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等;按内部结构可分为点接触型二极管、面接触型二极管。不同结构的二极管所能通过的电流大小不同,如图1.3所示。;图1.3 二极管的结构; 点接触型二极管是由一根很细的金属丝热压在N型锗晶片上制成的,由于金属触丝与N型半导体的接触面很小,允许通过电流也很小,但结电容小,工作频率高,适合作高频检波器件。面接触型二极管是用合金法制成的,PN结面积较大,允许通过较大电流和具有较大功率容量,结电容较大,适于较低频率下工作,一般用作整流器件。 ; 1.1.3 二极管的电压-电流关系 二极管的电压-电流关系是指二极管两端的电压和其中流过的电流之间的关系,定量描述两者之间关系的曲线称为二极管伏安特性曲线。 图1.4(a)所示是测试二极管正向伏安特性的电路。R为限流电阻,调节电位器RP使二极管两端正向电压从零开始逐渐增大,读出电压表(V)和对应的毫安表(mA)数据,画出正向伏安特性曲线。图1.4(b)所示是测试二极管反向伏安特性的电路。;图1.4 测试二极管伏安特性电路; 图1.5给出了较为典型的硅管伏安特性曲线。 ; 1. 正向特性 二极管阳极接高电位,阴极接低电位,这种连接称为二极管的正向偏置。 死区:由图1.5可见,对某一给定的二极管,当外加的正向电压低于一定值时,其正向电流很小,几乎为零。而当正向电压超过此值时,正向电流增长很快,这个正向电压的定值通常被称为“死区电压”,其大小与材料及环境温度有关。一般来说,硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。; 正向工作区:当二极管正向电压超过死区电压后,正向电流变化很大,而电压的变化极小,硅管的导通电压约为0.6~0.7V,锗管的导通电压约为0.2~0.3V。为了讨论计算的方便,通常认为二极管正向导通后电压固定在某个值,这个值被称为导通电压,以后我们在讨论计算时,统一取硅管的导通电压为0.7V,锗管的导通电压为0.3V。; 2. 反向特性 二极管阳极接低电位,阴极接高电位,这种连接称为二极管的反向偏置。 反向截止区:当外加电压为负时,即加以反向电压,由图1.5可见,反向电流很小,且在某一范围内基本保持不变,称为反向饱和电流。由于半导体的热敏特性,反向饱和电流将随温

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