微纳结构硅的制备及器件化应用分析-preparation and device application analysis of micro-nano structured silicon.docxVIP

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微纳结构硅的制备及器件化应用分析-preparation and device application analysis of micro-nano structured silicon

I I 摘 要 摘 要 硅是极为常见的一种 HYPERLINK /view/19993.htm 元素,然而它极少以 HYPERLINK /view/63071.htm 单质形式在 HYPERLINK /view/262972.htm 自然界出现,而是以复 杂的 HYPERLINK /view/84667.htm 硅酸盐或 HYPERLINK /view/27254.htm 二氧化硅的形式,广泛存在于 HYPERLINK /view/10226.htm 岩石、 HYPERLINK /view/945141.htm 砂砾、 HYPERLINK /subview/321907htm 尘土之中。硅的含量巨 大且提纯难度不高,以硅为基础的半导体器件成为主流半导体器件。光探测及光 伏领域对近红外和可见光波段的吸收有较高要求,而单晶硅拥有较大的禁带宽度, 无法高效吸收这些波段的光。化合物半导体材料虽然能在一定程度解决这个问题, 但成本高昂限制了它们的广泛应用。科学家们不得不在硅材料本身寻求新的解决 办法。“黑硅”是通过飞秒激光刻蚀等得到的在硅材料表面具有均匀细小尖锥微结 构的一类材料,能够提高硅对光的吸收能力、延伸光谱探测范围,在可见及近红 外波段有非常不错的表现。 本文采用光催化电化学腐蚀工艺制备多孔硅,制备出了具有微米尺度的表面 微结构硅。创新性地提出了“纳米多孔硅”的设想,利用电化学与金属催化化学 相结合的刻蚀工艺,成功制备出了“纳米多孔硅”这种微结构硅材料。基于对微 结构硅金半接触及器件制备的研究需要,基于微结构硅材料进行了电极制备及 PIN 原理性器件试制。研究表明,电化学腐蚀与金属催化刻蚀结合制备“纳米多孔硅” 的设想具有可行性,制备出的“纳米多孔硅”具有良好的光学性能,基于微结构 硅制备的 PIN 单元原理性器件,在近红外波段的响应度较高,这对改善硅基 PIN 探测器的性能具有重要意义。论文取得的主要研究成果如下: 1)基于光催化电化学腐蚀工艺制备得到的多孔硅,具有大面积均匀性和良好 的微米尺度表面微结构,在 300 nm~1100 nm 波段范围内光吸收率明显增强; 2)利用“银镜反应”能够获得均匀的催化银粒子分布,既可以一步法制备纳 米尺度微结构硅,还可以结合电化学与金属催化刻蚀工艺,制备得到“纳米多孔 硅”材料,具有显著的光吸收特性,在可见光与近红外波段的吸收率达 85%以上; 3)用化学镀方法在微结构硅上制备金属电极,具有良好的电接触质量;基于 微结构硅的 Si-PIN 光电探测原理性器件,在近红外波段表现出良好的响应特性。 关键词:电化学腐蚀,金属催化刻蚀,纳米多孔结构,微结构硅,PIN 光电探测器 II II ABSTRACT ABSTRACT Silicon content in the earth is very huge and the difficulty of silicon purification is not high, so semiconductor devices based on silicon material have become the mainstream of modern electronic and/or optoelectronic devices. After a long time of development,the semiconductor manufacturing industry has entered into a rather mature stage. With the in-depth study of semiconductor materials, the defects inside silicon hinders its further applications. Light detection and solar energy application have much higher requirements in light absorption at near-infrared and visible wavelength. Monocrystalline silicon has a large band gap width, so can not absorb light at these wavelengths efficiently. Although other semiconductor materials can solve this problem in a certain degree, but the high cost of those materials restricts the

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