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SiP实现真正意义SoC可行途径 　　1单片SoC的局限 　　 　　 SoC问世之初，人们对它寄予厚望，憧憬着“系统芯片”的美好未来，那是上个世纪90年代的事。将近20年过去，以嵌入IP为特征的SoC，不断扩展工艺内涵，朝着实现“系统芯片”的目标努力。也许是当初人们的期望过高，也许是因为“系统”的内涵太泛，目前SoC可以实现的只能算是子系统，还没有达到在芯片上实现真正意义系统的水平。飞利浦半导体战略和业务常务副总裁Theo Claasen 在“An Industry Perspective on Current and Future State of the Art in System-on-Chip （SoC） Technology” [1]中说的比较客观，SoC实现了系统的“大脑”，为整个系统提供了最核心的神经系统，这是个了不起的贡献。但是，除“大脑”以外，还要有许多其它部分，也是构成系统必不可少的。如果要把这些器件也纳入SoC之中，还不要说听觉、嗅觉、触觉，以及发声、行动等非电学类的子系统，就算是属于电学的射频收机机、海量存储器，目前的工艺都还没有这个能力。 　　SoC的工艺主体是CMOS制程，理论上说是可以把那些不同工艺的器件纳入到CMOS芯片的，无非是增加工序，扩展流程。实际上并非如此，有些在技术上就不可行；有些虽然技术上可行，但是在经济上也不划算。比如CMOS上要纳入GaAs器件，技术上就很难实现；而CMOS上增加GeSi HBT虽然技术上可行，实现了与射频的集成，但是为了这几个异质结晶体管使得整个工艺的流程和费用都增加到1.3~1.4倍，势必影响到产品的市场竞争力。 　　当今的电子产品越来越追求便携和多功能。手机不仅变得越来越薄、越来越小，而且功能越来越强，远远超出了电话的范围；大屏幕电视的市场也出现了手持移动电视；音响、视频设备中又有了小巧便携的MP3、MP4。这一切的改变都源于IC芯片的高度集成。今天的芯片集成的含义已经不仅仅是如同天文数字般的晶体管数量，而且有更多的功能集成和系统集成的内容，要满足这样的需求，单片的SoC则有些力不从心。人们把思路转向了封装，用封装把多种工艺的器件组合，弥补单片SoC的不足。这就引出来SiP。 　　 　　2封装，当刮目相看 　　 　　尽管媒体报导集成电路的高科技时，经常播放封装键合的镜头，键合头带着键合丝飞快地动作，很是好看，然而封装一直被认为是IC制程的技术低端，列为劳动密集型。其实这只是对低端的封装而言。近年来发展起来的高密度多芯片叠层（Multi-chip Package,MCP）技术，已经可以把8个RAM 存储器芯片堆叠封装，容量达1GB。在这种高密度封装中，每个芯片的厚度只有25μm，这个厚度还不到复印纸厚度的一半。要把硅片减成这么薄，要对这么薄的硅片做互连处理，不能不说有很高的科技含量。也正是有了高水平的封装技术，才有实现SiP的可能。 　　 　　 回顾集成电路封装技术的发展历程， ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors） 2003把它划为四个阶段，称其为封装技术的四次革命[2]，分别是DIP、SMT、BGA和SiP。 　　 早期的集成电路封装是单芯片封装，完成的是“安装”、“键合”和“灌封”，目的是加固芯片、引出管脚，以便在PCB板上连接成系统，封装形式包括双列直插式封装DIP（Dual In-line Package）、方型扁平式封装QFP（Quad Flat Pockage）。这类封装的管脚数量受到封装外壳的限制，封装效率比较低。随着LSI和VLSI的出现，这种封装无论是管脚数量，还是封装效率，都不能满足要求了。所谓封装效率是指芯片面积与封装面积之比。 　　 封装技术的第二次革命是SMT技术。 　　 SMT （Surface Mount Technology表面贴装技术是把封装引线贴焊在PCB表面，而不是插入PCB的通孔。这是SMT与DIP的最大不同。SMT的贴装过程是，先在印制板焊盘上涂布焊锡膏，再将封装引线准确地放到涂有焊锡膏的焊盘上，通过加热直至焊锡膏熔化，完成焊接，冷却后便实现了元器件与印制板之间的互联。SMT一经问世，就表现不凡，显示出强大优势：减小了封装体积、增加了引线密度、提高了高频特性，而且耐抗振动、安装紧凑。更为重要的是，SMT带动了多层高密度布线PCB板和无源组件片式化的发展，包括片式电阻、电容、电感等，可以说是一次与PCB联动的技术革命，也为其后的BGA、MCP以至SiP奠定了工艺基础。 　　 封装技术的第三次革命是BGA（Ball Grid Array Package），即球栅阵列封装，是目前当红的技术。 　　 上个世纪90年代