下资三甲电子电路实习题库上传版.docVIP

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下资三甲电子电路实习题库上传版

協志工商102學年度下學期電子電路實習題庫 班級:資三甲 姓名: 座號: 得分: 選擇題 共157題 ( D )1. 所謂理想二極體,下列敘述何者錯誤?(A)順向時視為短路,逆向時視為開路 (B)順向電阻等於零,逆向電阻無限大 (C)無順向電壓降,無逆向電流 (D)順向電壓等於零,逆向電流無限大 ( A )2. 二極體不具有下列何者功能?(A)放大 (B)整流 (C)檢波 (D)截波 ( D )3. PN二極體之逆向飽和電流於溫度每上升10°C約增加一倍,有一二極體於300 K時,,則於400 K時,應為(A)100μA (B)200μA (C)800μA (D)1024μA ( D )4. 溫度每升高1°C ( C )5. 矽二極體接上順向偏壓時,其切入電壓(cut-in voltage)約為(A)0.1V (B)0.3V (C)0.7V (D)1.0V ( C )6. 下列有關PN接面二極體的敘述,何者錯誤?(A)矽二極體的障壁電壓(barrier potential)較鍺二極體高 (B)二極體加順向偏壓後,空乏區變窄 (C)溫度上升時,障壁電壓上升 (D)溫度上升時,漏電流上升 ( D )7. 有關二極體PN接面之電容,下列敘述何者錯誤?(A)過渡電容之電容量與逆向偏壓成反比 (B)過渡電容之電容量與PN接面之截面積成正比 (C)擴散電容之電容量隨溫度之升高而下降 (D)擴散電容之電容量與電洞之平均壽命無關 ( A )8. 下列何者二極體通常工作於逆向偏壓?(A)變容二極體 (B)透納二極體 (C)發光二極體 (D)蕭特基二極體 ( B )9. 對二極體接面電容量的敘述,在逆向偏壓愈大時,下列何者正確?(A)空乏區寬度增加,電容量增加 (B)空乏區寬度增加,電容量減少 (C)空乏區寬度減少,電容量減少 (D)空乏區寬度與電容量無關 ( D )10. 有一矽二極體,在溫度25°C時的逆向飽和電流為3nA,試求出溫度升高至65° ( B )11. 通常使一LED發亮至少應通過多少電流?(A)10~15μA (B)10~15mA (C)100~200mA (D)200~300mA ( D )12. 稽納二極體常應用於(A)放大電路 (B)濾波電路 (C)整流電路 (D)穩壓電路 ( A )13. 下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確?(A)矽二極體的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體 (B)矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體 (C)矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體 (D)矽二極體的反向飽和電流高於鍺二極體 ( B )14. 二極體之反向飽和電流隨溫度上升而(A)減少 (B)上升 (C)不變 (D)不一定 ( A )15. 一般PN二極體兩端的順向偏壓,隨溫度的變化量約為(A)–2.5mV/ °C (B)–25mV/ °C (C)+2.5mV/ °C (D)+25mV/ °C ( A )16. 二極體反向偏壓時,空乏區寬度會(A)變大 (B)不變 (C)變小 (D)變大或者變小 ( B )17. 二極體之過渡電容隨反向電壓之增大而(A)增大 (B)減小 (C)不變 (D)先增大後減小 ( B )18. NPN電晶體若欲工作在作用區(active region)則(A)基射接面需順偏,基集接面需順偏 (B)基射接面需順偏,基集接面需反偏 (C)基射接面需反偏,基集接面需順偏 (D)基射接面需反偏,基集接面需反偏 ( B )19. 電晶體當作線性放大器時,其主要工作在(A)截止區 (B)工作區 (C)飽和區 (D)以上皆非 ( C )20. 若將雙極性電晶體當成開關使用,則此電晶體工作於哪兩區?(A)作用區與截止區 (B)飽和區與作用區 (C)飽和區與截止區 (D)作用區、飽和區、截止區都可以 ( A )21. 在日規半導體中,2SA開頭之元件為何?(A)PNP電晶體 (B)NPN電晶體 (C)二極體 (D)UJT ( D )22. 功率電晶體的集極與外殼通常接在一起,其主要目的是(A)較易辨認集極接腳 (B)製造方便(C)可增加電流(D)散熱考慮 ( A )23. 場效電晶體工作時靠下列何者來控制其電流大小?(A)電壓 (B)電流 (C)電阻 (D)電容 ( B )24. 對於場效電晶體(FET)的敘述,下列何者錯誤?(A)FET為電

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